[发明专利]提高集成电路中互连金属化性能的方法和组合物无效
| 申请号： | 99810823.5 | 申请日： | 1999-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1328699A | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | S·S·森古普塔 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40;H01L21/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括多个互连金属线,每个互连金属线(38)提供有阻止电迁移组合物,包括一定重量百分比的铝、一定重量百分比的铜、以及一定重量百分比的锌。线的阻止电迁移组合物包括为晶粒(36)形式的Al和Zn的固溶体结构。晶粒以晶粒间界(37)为边界。所述结构还包括限定在晶粒间界中的Al和Cu的沉积物。发生铝从晶粒间界的电迁移并使铝从晶粒电迁移。选择锌的重量百分比以限定Al固溶体,并阻止铝从晶粒电迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 集成电路 互连 金属化 性能 方法 组合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；以及定义在衬底上的多个互连金属线，每个互连金属线具有阻止电迁移有组合物，组合物包括，一定重量百分比的铝；一定重量百分比的铜；以及一定重量百分比的锌。
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