[发明专利]四层GMR夹层结构无效
| 申请号： | 99811420.0 | 申请日： | 1999-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1138153C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | B·A·埃弗里特 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 吴蓉军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 磁阻(GMR)传感器包括衬底和设在所述衬底上的第一三层。将第一隔离层设在所述第一三层上。将第一磁场设在所述第一隔离层上。将第二隔离层设在所述第一磁层上。将第二磁层设在所述第二隔离层上。将第三隔离层设在所述第二磁层上。将第二三层设在所述第三隔离层上和将覆盖层设在所述第二三层上。第一和第二三层包括第一铁磁层、第二铁磁层和设在第一和第二铁磁层之间并与它们接触的反平行耦合层。 | ||
| 搜索关键词： | gmr 夹层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，其特征在于，包括：衬底；设在所述衬底上的第一三层；设在所述第一三层上的第一隔离层；设在所述第一隔离层上的第一磁层；设在所述第一磁层上的第二隔离层；设在所述第二隔离层上的第二磁层；设在所述第二磁层上的第三隔离层；设在所述第三隔离层上的第二三层；和设在所述第二三层上的覆盖层；其中，所述第一和第二三层包括：第一铁磁层；第二铁磁层；以及设在所述第一和第二铁磁层之间并与它们接触的反平行耦合层。
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