[发明专利]单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体有效
| 申请号： | 99811516.9 | 申请日： | 1999-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1320173A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 古川纯;须藤充;中井哲弥;藤川隆男;增井卓也 | 申请（专利权）人： | 三菱硅材料株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在使单晶体(11)稳定的气氛中,在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下,对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时,然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体,且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭,或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此,不管单晶体(11)的尺寸有多大,都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 缺陷 去除 方法 | ||
【主权项】：
1．一种去除单晶体缺陷的方法，包括下列步骤：在对单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压5分钟～20小时；然后对单晶体(11)进行缓冷。
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