[发明专利]等离子体处理系统中腐蚀终点的确定方法和确定装置有效
申请号: | 99811613.0 | 申请日: | 1999-09-15 |
公开(公告)号: | CN1439173A | 公开(公告)日: | 2003-08-27 |
发明(设计)人: | 加罗斯洛·W·温尼泽克;M·J·弗朗西斯·查德拉塞卡·达萨帕;埃里克·A·赫德森;马克·维普金 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01J37/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在采用静电吸盘的等离子体处理系统中腐蚀透衬底上的靶层时确定腐蚀工艺终点的方法和装置。腐蚀工艺的终点通过监测衬底的电位以探测代表腐蚀工艺终点的图形确定。例如,通过监测流到静电吸盘电极的电流,可以观察到该电位的改变。确定了代表腐蚀工艺终点的图形后,例如通过监测电流信号,产生控制信号,以结束腐蚀。如果提供偏置补偿电源,以保持整个腐蚀中流到静电吸盘各极的电流基本相等但符号相反,则可以针对代表腐蚀工艺终点的上述图形,监测由偏置补偿电源输出的补偿电压,从而结束腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 系统 腐蚀 终点 确定 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、在等离子体处理系统中腐蚀透衬底上的靶层时确定腐蚀工艺终点的终点确定装置,包括:具有第一极和第二极的静电吸盘;第一DC电源,耦合到所说第一极和所说第二极,用于给所说第一极和所说第二极提供吸持电压;第一电流监测电路,耦合在所说第一极和所说第一DC电源之间,用于监测供给所说第一极的第一电流,所说第一电流监测电路输出表示所说第一电流的第一信号;第二电流监测电路,耦合在所说第二极和所说第一DC电源之间,用于监测供给所说第二极的第二电流,所说第二电流监测电路输出表示所说第二电流的第二信号;差分放大装置,耦合到所说第一电流监测电路和所说第二电流监测电路,所说差分放大装置接收所说第一信号和所说第二信号作为输入,并输出控制信号;可变DC电源,耦合到所说差分放大装置,用于接收所说控制信号,所说可变DC电源构成为响应于所说控制信号来输出偏置所说第一DC电源的补偿电压;及终点监测电路,耦合到所说可变DC电源,所说终点监测电路接收所说补偿电压作为输入,并包括针对表示所说腐蚀工艺的所说终点的图形分析所说补偿电压的电路,所说终点监测电路还包括在确定了所说补偿电压的所说图形后,输出表示所说腐蚀工艺的所说终点的终点信号的电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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