[发明专利]从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构无效
| 申请号： | 99811709.9 | 申请日： | 1999-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1155074C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·福斯特 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C30B15/00;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅-绝缘体(SOI)结构，它有一层低缺陷密度器件层，还可以有一具有较好吸附杂质能力的基底硅片。该器件层包含一中央轴，一圆周边缘，一个从中央轴延至圆周边缘的半径，以及一个第一轴对称区，其中基本没有堆积本征点缺陷。另外本发明还针对这样一种SOI结构，其有一片切氏单晶硅基底硅片，该基底硅片在经受几乎任意电子学器件制作过程都要采用的热处理周期时，能够形成一个理想的氧淀析物非均匀深度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 单晶硅 制备 绝缘体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅的结构，该结构包含：一个基底硅片一单晶硅器件层，它有一中央轴，一圆周边缘，一个从中央轴延至圆周边的半径，以及一个第一轴对称区，其中有一种占优势的本征点缺陷，而又基本没有堆积本征点缺陷；以及，在基底硅片和器件层之间的一个绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
