[发明专利]可电离辐射成象的感光聚合物组合物无效
申请号: | 99811798.6 | 申请日: | 1999-10-05 |
公开(公告)号: | CN1322309A | 公开(公告)日: | 2001-11-14 |
发明(设计)人: | Y·王 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | G03F7/027 | 分类号: | G03F7/027;G03F7/004;G03C9/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 庞立志,谭明胜 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了在曝光于电离辐射,如X射线、电子束、离子束和γ射线时可成象聚合/交联的组合物。本发明还公开了使用这些组合物进行陶瓷显微制造、立体平版印刷及可用于光刻胶的X射线、电子束和离子束平版印刷的方法。 | ||
搜索关键词: | 电离辐射 成象 感光 聚合物 组合 | ||
【主权项】:
1.一种可通过电离辐射被成象聚合/交联的组合物,基本由下列物质组成:(A)10-90wt%带有至少一个酰胺官能团的反应性单体,所述单体选自:其中R1、R2、R3、R4和R5选自氢;脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);不饱和脂族基团CnH2n-1(n=1-20);带有酰胺或丙烯酰胺取代基的脂族基团、和带有R’O-取代基的脂族基团,其中R’代表脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);其中R1和R2选自氢;脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);不饱和脂族基团CnH2n-1(n=1-20);及乙酰胺;其中R1和R2选自氢;脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);及不饱和脂族基团CnH2n-1(n=1-20);其中R1和R2选自氢;脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);不饱和脂族基团CnH2n-1(n=1-20);及氨基取代的脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);(B)10-90wt%多官能团交联剂,所述交联剂由带有至少2个官能团的骨架构成,所述骨架选自:(1)线型或支化脂族链-(CRH)n-,n=1-1000,其中R代表脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);(2)乙二醇链-(CH2CH2O)n-,其中n=1-1000;(3)丙二醇链-(CH(CHn)CH2O)n-,其中n=1-1000;(4)环己基;和(5)异氰脲酸酯C3N3O3;并且其中官能团选自:(a)丙烯酸酯其中R1、R2和R3选自氢及脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);(b)羧酸-COOH;(c)环氧化物其中R1、R2和R3选自氢或脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);和(d)乙烯基其中R1、R2和R3选自氢或脂族基团CnH2n+1和CnH2n-1(n=1-20);和(C)0.1-80wt%粒度为1-1000纳米的无机射线增感剂,所述射线增感剂选自ⅤB-ⅥB半导体、ⅤB-ⅦB半导体、ⅡB-ⅥB半导体、ⅡB-ⅤB半导体、ⅢB-ⅤB半导体、ⅢB-ⅥB半导体、ⅠB-ⅥB半导体和ⅣB-ⅦB半导体。
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