[发明专利]热退火后的低缺陷密度单晶硅无效
| 申请号： | 99812088.X | 申请日： | 1999-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1323362A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·法尔斯特;马丁·J·比恩斯;艾伦·王 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有中心轴、通常垂直于中心轴的正面和反面、正面与反面之间的中心平面、外围边沿、以及从中心轴延伸到外围边沿的半径的单晶硅晶片。此晶片包含第一和第二轴对称区。第一轴对称区从外围边沿向内径向延伸,含有硅自填隙作为占优势的本征点缺陷,且基本上无聚集的填隙缺陷。第二轴对称区以空位为占优势的本征点缺陷,它包含从正面向中心平面延伸的表面层和从表面层向中心平面延伸的本体层,其中存在于表面层中的聚集空位缺陷的数量密度低于本体层中的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 缺陷 密度 单晶硅 | ||
【主权项】：
1．一种具有中心轴、通常垂直于中心轴的正面和反面、正面与反面之间的中心平面、外围边沿、以及从中心轴延伸到外围边沿的半径的单晶硅晶片，此晶片包含：从外围边沿向内径向延伸的第一轴对称区，其中硅自填隙是占优势的本征点缺陷，且基本上无聚集的填隙缺陷；以及第二轴对称区，其中空位是占优势的本征点缺陷，第二轴对称区包含从正面向中心平面延伸的表面层和从表面层向中心平面延伸的本体层，存在于表面层中的聚集空位缺陷的数量密度低于本体层中的浓度。
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