[发明专利]检测磁性收缩区磁状态的方法及其应用无效
| 申请号： | 99812175.4 | 申请日： | 1999-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1145041C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 尼科拉斯·加西亚·加西亚;汉斯·海因里希·罗勒;M·穆诺兹桑切兹;Y·赵 | 申请（专利权）人： | 康斯乔最高科学研究公司;菲辛特克公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 西班牙*** | 国省代码： | 西班牙;ES |
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| 摘要： | 当磁性收缩区(M1，M2)一部分的磁状态变化时，磁性收缩区的电阻会随着改变。室温下这一电阻变化可超过100％。这一效应被提议用来检测会影响磁性收缩区一部分(图2中M1)磁性状态的某一磁性小颗粒，M3，作为磁存储位的磁状态。进一步提议用一小颗粒，M3，构成磁性收缩区的一部分(图3)来读取该小颗粒的磁状态。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 磁性 收缩 状态 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种借助于检测磁性收缩区电阻的变化来检测所说磁性收缩区磁状态的方法，包括让一电流流过所说磁性收缩区的步骤，其特征是使用一个尺寸可与由自旋反转散射造成的电子平均自由程相比或比之更小的磁性收缩区，将收缩区的两个磁性部分用一个薄的非磁性导电性材料薄片隔开以得到更敏感的收缩区，所说的薄片厚度必须相当于或小于由自旋跳转散射造成的电子自由程。
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