[发明专利]生产晶体管的方法

摘要

本发明涉及应用一个p-掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件，尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模，以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离浮子注入在半导体基片中产生一个n-掺杂的槽，此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂的内部区域是足够的，并且n-掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n-掺杂和/或p-掺杂区被带入半导体基片的p-掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n-掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替，即n代替p，并且反之p代替n。

主权项

1.由一个p-掺杂或n掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件的方法，包括步骤：—在半导体基片上涂复一掩模，以规定一个由绕行的边沿限定界限的窗口，—用离子注入法通过掩模用一个能量在p-掺杂的半导体基片中产生一个n-掺杂的槽或在n-掺杂的半导体基片中产生一个p-掺杂的槽，上述能量足够高，使得在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂或n-掺杂的内部区域，并且n-掺杂或p-掺杂的槽的边缘区域抵达半导体基片的表面，并且—在p-掺杂或n-掺杂的内部区域中以及在n-掺杂或p-掺杂的槽的边缘区域中产生其它构成半导体元件结构的n-掺杂和/或p-掺杂的区域。