[发明专利]通过混合物流沉积的多纳米孔隙二氧化硅无效
| 申请号： | 99812762.0 | 申请日： | 1999-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1146963C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | H·－J·吴;J·S·德拉格;L·B·布伦加德特;T·拉莫斯;D·M·史密斯 | 申请（专利权）人： | 联合讯号公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;周慧敏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在基质上形成多纳米孔隙电介质涂层的方法。该方法包括无论(i)将烷氧基硅烷组合物物流和含有催化剂组合物的碱物流结合形成混合组合物物流；直接将该混合组合物物流沉积到基质的表面上，并将该混合组合物与水接触(无论按次序或同时)；以及将混合组合物固化；或(ii)将烷氧基硅烷组合物物流和水流结合形成混合组合物物流，直接将该混合组合物物流沉积到基质的表面上；并将混合组合物固化。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 混合 物流 沉积 纳米 孔隙 二氧化硅 | ||
【主权项】：
1.一种在基质上的形成多纳米孔隙电介质涂层的方法，它包括：A)实施无论(i)或(ii)：i)a)将一种烷氧基硅烷组合物物流(3)和含有催化剂组合物的碱物流(1)结合，在各单独物流的汇合点形成游离的混合组合物物流(9)；及无论按次序或同时进行步骤(b)和(c)；b)立即将该混合组合物物流(9)沉积到基质表面(8)上；c)将混合组合物与水接触；及ii)a)将一种烷氧基硅烷组合物物流(3)和水流(2)结合，在各单独物流的汇合点形成游离的混合组合物物流(9)；及b)立即将该混合组合物物流沉积到基质表面(8)上；B)固化所述的混合组合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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