[发明专利]硅烷基多纳米孔隙二氧化硅薄膜

摘要

提供在基质上形成疏水多纳米孔隙电介质涂层的改进方法。该改进的方法包括将至少一种单-、双-或三官能的母体和至少一种四官能的母体结合形成反应混合物、回收反应产物、及然后将反应产物沉积到适合的基质上、接着将该沉积膜凝胶化。母体包含烷氧基、乙酸基和卤素离去基团。还提供了可供选择的提高多纳米孔隙二氧化硅膜疏水性的方法，以及通过该新方法制备改进的多纳米孔隙二氧化硅膜、涂布基质和集成电路。

主权项

1.一种在基质上的多纳米孔隙电介质膜，其制备方法包括：a)将至少一种单-、双-或三-官能母体和至少一种四-官能母体在反应混合物中结合形成多纳米孔隙膜母体，b)从所说反应混合物中回收(a)的多纳米孔隙膜母体并将其沉积到合适的基质上，及c)将所说沉积膜凝胶化，以便在所说基质上形成多纳米孔隙电介质涂层；其中所说单-、双-或三-官能母体具有1～3个官能离去基团；并且所述单-、双-或三-官能母体是一种具有下列化学式烷氧基硅烷：An-SiHm (化学式1)其中各A是独立的烷氧基O-R，及R是独立地选自烷基和芳基的有机部分；其中n是1～3的整数；m是是1～3的整数，及m与n的和是4；或者其中单-、双-或三-官能母体是一种乙酸基化合物，例如乙酸基硅烷化合物和/或卤代化合物，例如卤代硅烷化合物和/或它们的组合；并且其中回收的多纳米孔隙膜母体通过一种选自旋转沉积、浸渍涂布、喷雾沉积及它们的结合的方法沉积到所说基质上。