[发明专利]减少信号路径延迟的列冗余电路有效
申请号: | 99812810.4 | 申请日: | 1999-10-29 |
公开(公告)号: | CN1331818A | 公开(公告)日: | 2002-01-16 |
发明(设计)人: | 魏方兴;菊川裕仁;辛西娅·马尔 | 申请(专利权)人: | 睦塞德技术公司;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G06F11/20 | 分类号: | G06F11/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种排列成行和列的存储器单元的同步DRAM,存储器单元由应用在解码的存储器地址访问,为响应解码的列地址信号,标准列驱动器激活适当的存储器单元冗屿列驱动器编辑存储器组合分布,并可灵活地选择,以便在组合内的多个块中替换故障列;开关装置选择性地激活冗余列,并防止有缺陷的标准列的激活。因此,列冗余方法和装置最小化了标准和冗余列路径之间的时序差,并在修复故障列地址中将需要烧断熔断丝的数量减到最小。 | ||
搜索关键词: | 减少 信号 路径 延迟 冗余 电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:a)排列成行和列的存储器单元,通过把列和行地址信号分别加到有关的列或行,存储器单元是可访问的;b)标准列驱动器,至少触发一个有关的标准列,标准列驱动器响应在它的输入端接收的解码的存储器地址信号,用于触发列;c)冗余列驱动器,至少触发一个有关的冗余列,响应在它的输入端接收的解码的存储器地址信号,在任何多个存储器阵列块中触发冗余列;以及d)响应表明有缺陷的标准列信号的开关装置,选择性地触发冗余列驱动器,防止有缺陷的标准列驱动器激活有关的有缺陷的标准列,并提供数据到有关的冗余列和从有关的冗余列提供数据,因此,在标准和冗余列存储器地址信号路径之间的时序中基本不存在差别。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睦塞德技术公司;松下电器产业株式会社,未经睦塞德技术公司;松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99812810.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。