[发明专利]高密度集成电路无效
| 申请号： | 99813068.0 | 申请日： | 1999-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1325546A | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张世熹 | 申请（专利权）人： | 张世熹 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所 | 代理人： | 万学堂 |
| 地址： | 中国四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高密度集成电路。该高密度集成电路中多个集成电路层在垂直方向上被集成在一芯片上,每个集成电路层具有一定独立的记忆、逻辑和/或模拟功能,层间连接通道口将不同集成电路层相互耦合。同时,本发明对含有存储器的高密度集成电路作了进一步完善,如提供布线分区以方便布线;使用缓冲器提高速度;使用用户编程存储矩阵作为多余阵列以提高成品率等。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 集成电路 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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