[发明专利]半导体电路装置有效
申请号: | 99813129.6 | 申请日: | 1999-09-07 |
公开(公告)号: | CN1150623C | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | K·霍夫曼;O·科瓦里克;H·赫尼格施米德;G·布劳恩 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良;张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及包括驱动器电路(13)的半导体电路,该电路是集成在第一种导电类型的半导体衬底(1)内的,和由接通正值和/或零值电压电平的PV开关晶体管(2),和由接通负值和/或零值电压电平的NV开关晶体管(3)组成的,而且控制电路位于驱动器电路(13)前面和同样构成在半导体衬底(1)内,这个是与衬底电压相连。驱动器电路(13)的NV开关晶体管(3)是构成在外槽(10)内,这个槽是置入在半导体衬底内和具有与第一种导电类型相反的第二种导电类型,和外槽(10)是与供电电压相连的。 | ||
搜索关键词: | 半导体 电路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体电路装置,具有在第一种导电类型的半导体衬底(1)内集成构成的驱动器电路(13),这个是由用于接通正的和零值电压电平的第一个和第二个PV开关晶体管(18,22a)和由用于接通负的和零值电压电平的第一个和第二个NV开关晶体管(22,18a)构成的,和具有串接在驱动器电路(13)前面的,同样在半导体衬底(1)内构成的控制电路,其中:-半导体衬底(1)是连接在衬底电平上的,-驱动器电路(13)是由多个电路级构成的,和驱动器电路的第一级有第一个逆变和电平移位电路(17),-驱动器电路(13)的输出端是由至少一个激活导线对构成的,这是由互补的单导线(20和20a)组成的,-第一个PV-开关晶体管(18)是连接在第一个导线(19)和第一个单导线(20)之间的,-第一个NV-开关晶体管(22)是连接在衬底电平和第一个单导线(20)之间的,-第二个NV-开关晶体管(18a)是连接在第二个导线(19a)和第二个单导线(20a)之间的,-第二个PV-开关晶体管(22a)是连接在衬底电平和第二个单导线(20a)之间的,和-第一个PV-和第一个NV-开关晶体管(18,22)将加在第一个导线(19)上的激活电压接到第一个单导线(20)上,其中同时第二个PV-和第二个NV-开关晶体管将加在第二个导线(19a)上的激活电压接到第二单导线(20a)上,或有关的晶体管将两个单导线(20,20a)接通到衬底电平上,其特征为,-驱动器电路(13)的NV开关晶体管(22,18a)是在置入在半导体衬底(1)内,与第一种导电类型相反的第二种导电类型的外槽(10)内构成的,-外槽(10)是连接在供电电压上的,和-两个激活电压可以是相反极性的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99813129.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子元件及含在其中的保护结构的应用
- 下一篇:半导体集成电路器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的