[发明专利]用横向生长制备氮化镓层

摘要

一种用掩模(109)图形化的碳化硅衬底(102)上的氮化镓基层(104)，它包括其中的窗口阵列，并被腐蚀穿过窗口阵列，以便在氮化镓基层中确定柱(106)及其间的沟槽(107)。每一个柱包含侧壁(105)和其上带有掩模的顶部。柱的侧壁被横向生长进入沟槽，从而形成氮化镓半导体层(108a)。在这一横向生长期间，掩模阻挡从柱顶的成核和垂直生长。因此，横向地生长进入沟槽，悬挂在柱的侧壁。柱的侧壁可横向生长进入沟槽，直至横向生长的侧壁在沟槽中接合，从而形成氮化镓半导体层。柱的侧壁横向生长可继续进行，致使氮化镓层垂直地生长穿过掩模中的窗口，并横向过生长到柱顶的掩模上，从而形成氮化镓半导体层(108b)。横向过生长能继续进行，直到生长的侧壁在掩模上接合，从而形成连续的氮化镓半导体层。在连续的氮化镓半导体层中可以制作微电子器件(110)。

主权项

1.一种制造氮化镓半导体层的方法，它包含以下步骤：提供碳化硅衬底、碳化硅衬底上的氮化镓层、以及对着碳化硅衬底的氮化镓层上的帽层，氮化镓层包括多个柱和其间的多个沟槽，沟槽确定帽层中的多个窗口；以及使柱的侧壁横向生长进入沟槽，从而形成氮化镓半导体层；其特征在于：多个沟槽包括碳化硅衬底中的沟槽底部。