[发明专利]溅射装置无效
| 申请号： | 99813916.5 | 申请日： | 1999-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1329678A | 公开（公告）日： | 2002-01-02 |
| 发明（设计）人： | 小野真德 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/203;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种溅射装置,在处理室的上方具有多个以同心状配置的环状靶材,在处理室内部设有用于保持半导体基板的支架,靶材及支架连接直流电源。此外,在处理室上连接有内部抽真空用真空泵,还连接有向内部导入等离子体产生用待处理气体通常是氩气的气体供应源。通过分别控制各靶材的电位,可调整靶材的溅射率。由此,可提高成膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溅射装置，包括：处理室；设置于前述处理室内，且保持基板的保持装置；将前述处理室内的压力减至所规定的压力的减压装置；向前述处理室内提供待处理气体的气体供应装置；对由前述气体供应装置所提供的处理气体等离子体化的等离子体化装置；与通过前述保持装置所保持的基板相对地设置的，相互之间同心配置的、由成膜材料构成的多个靶材；以及调整前述各靶材的溅射率的装置。
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