[发明专利]控制功率末级的方法和装置无效
| 申请号： | 99814088.0 | 申请日： | 1999-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1156976C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | J·法尔特;M·埃利奥特;C·布兰多 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了进行低电磁干扰的驱动，用大充电电流(Ig1)对功率开关(T)进行充电，直到漏极电流(Id)超过一个电流阈值(Is)，接着用一个与所需上升速度相应的小充电电流(Ig2)继续进行充电，直到漏极电压(Vd)低于预定的电压阈值(Vs)，然后，用所述的大充电电流(Ig1)继续充电一个预定的时延(Tv)；也可以以近似相反的顺序来进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 功率 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.借助控制信号(st)控制功率末级、以便对通过MOSFET功率开关(T)串联在电压源的电极(+Vb，GND)上的负载(L)进行开关切换的方法，其特征在于：所述的MOSFET功率开关(T)从控制信号(st)的开始处起，用一个预定的第一充电电流(Ig1)进行充电，直到漏极电流(Id)超过预定的电流阈值(Is)(t1～t2)，然后，接下来用一个预定的、小于所述第一充电电流的第二充电电流(Ig2)进行充电，直到漏极电压(Vd)低于预定的电压阈值(Vs)(t2～t3)，接着用所述预定的第一充电电流(Ig1)继续充电一个预定的充电时延(Tv)(t3～t4)，以及从控制信号(st)的结束处起，用一个预定的第一放电电流(Ig3)进行放电，直到漏极电压(Vd)超过所述预定的电压阈值(Vs)(t5～t6)，然后，接下来用一个预定的、小于所述第一放电电流的第二放电电流(Ig4)进行放电，直到漏极电流(Id)低于所述预定的电流阈值(Is)(t6～t7)，以及接着用所述预定的第一放电电流(Ig3)放电一个预定的放电时延(Tv)(t7～t8)。
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