[发明专利]半导体铜键合焊点表面保护无效
| 申请号： | 99814138.0 | 申请日： | 1999-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1163954C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | N·穆尔德施瓦;T·W·埃利斯;C·赫奥尔特;M·A·埃舍尔曼 | 申请（专利权）人： | 库利克及索发投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇;梁永 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 保护铜电路的非绝缘部分的表面免受环境污染对该表面到另一金属表面的连接的损害的方法，所述方法的特征在于用厚度适合于不用助熔剂的焊接的陶瓷材料层涂敷该表面的步骤，并且当该表面被接合以获得表面之间的金属对金属的接触时容易拆卸。还公开了被涂敷的包括半导体晶片的电子封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 铜键合焊点 表面 保护 | ||
【主权项】：
1.一种保护在电子封装基底表面上所形成的铜电路的非绝缘部分免受对所述铜电路的非绝缘部分到另一个金属表面的接合有害的环境污染的方法，该方法的特征在于，用选自铜-稀土金属络合物或铜-非混溶金属的材料构成的单层的氢化物形成层涂镀所述铜电路的非绝缘部分；并且将所述的氢化物形成层暴露到含氢的还原环境中以形成金属氢化物表面层；其中，具有一定厚度的所述氢化物形成层形成金属氢化物表面层，该表面层适合于不用助熔剂的焊接，并且在球形或楔形引线键合以获得键合表面和键合其上的引线之间的金属对金属的接触期间，容易拆卸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
