[发明专利]不含局部立方类尖晶石结构相的层状锂金属氧化物及其制备方法有效
| 申请号： | 99814394.4 | 申请日： | 1999-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1335823A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | Y·高;M·亚克勒瓦;H·H·瓦格;J·F·恩格尔 | 申请（专利权）人： | FMC公司 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;C01G1/00;H01M4/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明包含基本上单相的锂金属氧化物化合物,其具有基本上不含局部立方类尖晶石结构相的六方层状晶体结构。本发明的锂金属氧化物具有式LiαMβAγO2,其中M是一种或多种过渡金属,A是一种或多种具有平均氧化态N的掺杂剂,其中+2.5≤N≤+3.5,0.90≤α≤1.10,以及β+γ=1。本发明还包含这些化合物的去锂化形式,使用这些氧化物做正极材料的锂和锂离子二次电池,及这些化合物的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 立方 尖晶石 结构 层状 金属 氧化物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有通式LiαMβAγO2的化合物，其中M是一种或多种过渡金属，A是一种或多种具有平均氧化态N的掺杂剂，其中+2.5≤N≤+3.5，0.90≤α≤1.10，以及β+γ＝1，所述化合物具有基本上是单相的、六方层状晶体结构并基本上不含局部立方类尖晶石结构相。
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