[发明专利]用于制造包括一个非对称场效应晶体管的半导体器件的方法

摘要

一个制造包括一个非对称场效应晶体管(100)的一个半导体器件的方法,包括步骤在一个衬底的、包括一第一弱掺杂漏电极区域(1300)的一第一部分上面形成一个介质结构(1404),在所述衬底的一第二部分上面形成与所述介质结构相邻的侧壁隔离柱,在所述第二部分上面形成连接所述隔离柱的一个绝缘层(1601),选择性地去除这些隔离柱以在其位置形成一个栅极氧化物(1703),淀积包括硅的一第一层(1704),对所述第一层和栅极氧化物进行蚀刻以暴露所述第二衬底部分的一部分,在这个所产生的结构上面淀积包括硅的一第二层(1801),对包括硅的所述第一和第二层进行蚀刻以形成隔开的源极(1904),第一栅极(1902),第二栅极(1903),和漏电极(1901)电极。一个双极性晶体管(120)也可以被包括在这个半导体器件中,并且同时与这个场效应晶体管被形成。

主权项

1.一个制造一个半导体部件的方法，包括：提供一个衬底；在这个衬底的第一部分上形成一个介质结构；在这个衬底的第二部分上形成一个氧化物层，这个衬底的第二部分与这个衬底的第一部分相邻；在这个介质结构的上面和在这个氧化物层的上面形成第一层，这个第一层包括硅；对这第一层进行蚀刻，以暴露出这个氧化物层的一部分；对这个氧化物层的这个部分进行蚀刻，以暴露出这个衬底的第二部分的一部分；在对这个氧化物层进行蚀刻后，在这第一层的上面淀积第二层，这第二层包括硅；和通过对淀积了这第二层后的第一和第二层的部分进行蚀刻，使用这第一和第二层来形成一个晶体管的至少3个电极中的每一个，其中第一和第二层的部分中至少一个被自对准到这个介质结构。