[发明专利]阴极射线管用阴极结构体无效
| 申请号： | 99815219.6 | 申请日： | 1999-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1159745C | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 山岸未果 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/20 | 分类号： | H01J1/20;H01J29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在包含还原性元素的基体上形成电子发射物质层的阴极中，如果基体的层形成面为A、基体和电子发射物质层的接触面积为B，则0.24≤B/A≤0.93。此外，如果基体的厚度为C、电子发射物质层的厚度为D，则0.4≤D/C≤0.7。这样，可提供可获得充分的电子发射、工作中电子发射随时间的减小少、截止电压的变动小的阴极结构体。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极射线 管用 阴极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种阴极射线管用阴极结构体，在包含还原性元素的基体上形成电子发射物质层，其特征在于，在所述基体的层形成面的面积为A、所述基体和所述电子发射物质层的接触面积为B时，0.24≤B/A≤0.93，在真空度为1.33×10-5Pa、阴极温度为820℃、阴极取出电流为DC300μA的加速寿命实验实施5000小时后，零电场饱和电流密度在6.4A/cm2 以上，其中在基体厚度为C、电子发射物质层的厚度为D时，0.4≤D/C≤0.7。
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