[发明专利]大面积等离子体源

摘要

一种包围用于进行大面积基片的等离子体辅助处理的大面积等离子体源内的等离子体区(10)的腔室壳体(2)，所述腔室壳体(2)包括：一壳体件(2)，该壳体件构成基本垂直延伸的壁(4)，该壁环绕着对应于等离子体区(10)的空间(6)，所述壳体件(2)有多个开口(32)，导电件形成环绕该空间的静电屏蔽；多个绝缘件(36)，每个绝缘件有外周缘，且每个绝缘件用于封闭一个相应开口(32)；以及密封件(40、40’、42、42’)，该密封件在所述壳体件和各所述绝缘件(36)的外周缘之间形成气密密封。

主权项

1.一种腔室壳体，其包围着用于对大面积基片进行等离子体辅助处理的大面积等离子体源内的等离子体区，所述腔室壳体包括：一壳体件，该壳体件构成一个基本垂直延伸的壁，该基本垂直延伸的壁环绕着对应于等离子体区的空间，所述壳体件有多个开口和导电件，该导电件形成环绕该空间的静电屏蔽；多个绝缘件，每个绝缘件有外周缘，且每个绝缘件布置成封闭一个相应开口；密封件，该密封件在所述壳体件和各所述绝缘件的外周缘之间形成气密密封；以及一个与所述壳体相邻的线圈，用于在所述等离子体区内产生一RF场，所述线圈相对于所述等离子体区而位于所述静电屏蔽外面，所述RF场穿过所述绝缘件而在所述等离子体区内产生等离子体。