[发明专利]双端口管道两级高速缓冲存储器系统无效
| 申请号： | 99815362.1 | 申请日： | 1999-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1154049C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 傅伟昌;D·A·穆拉;G·S·马修斯;S·E·塞勒 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08;G06F13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了提高处理器性能的新颖的芯片上高速缓冲存储器及操作方法。该芯片上高速缓冲存储器有两级。第一级是为低等待时间优化的而第二级是为容量优化的。两级高速缓存是流水作业的并能支持同时双端口存取。在第一与第二级高速缓存之间设置了排队结构，用于从较慢的第二级高速缓存上分离较快的第一级高速缓存。排队结构也是双端口的。两级高速缓存都支持不阻塞的操作。当在一级高速缓存上高速缓存不命中时，两个高速缓存都能继续处理其它高速缓存命中与不命中。第一级高速缓存是为整数数据优化的。第二级高速缓存能存储包含浮点在内的任何数据类型。本发明的新颖两级高速缓存系统提供强调吞吐量的高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 管道 两级 高速 缓冲存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种高速缓冲存储器，包括：具有第一地址端口与第二地址端口的芯片上第一级高速缓存，其中该第一级高速缓存包含各具有若干项的第一翻译后备缓冲器与第二翻译后备缓冲器，及其中该第一翻译后备缓冲器与该第二翻译后备缓冲器同时接收分别来自第一地址端口的第一虚拟地址以及来自第二地址端口的第二虚拟地址；具有第一地址端口与第二地址端口的芯片上第二级高速缓存；以及耦合在第一级高速缓存与第二级高速缓存之间的排队结构。
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