[发明专利]一种用于半导体制造的处理室和用于半导体处理室的室衬

摘要

本发明公开了一种用于半导体制造的处理室和用于半导体处理室的室衬。处理室含有外壳，该外壳具有构成室的内表面，在处理半导体晶片期间，该室被抽成真空。室衬(116)含有具有多个孔隙(116e)的等离子约束屏(116c)。外侧壁(116b)从等离子约束屏(116c)向上延伸。外法兰(116a)从外侧壁(116b)向外延伸使得外法兰(116a)延伸至室外并伸入大气压力下的空间。室衬(116)最好还含有从等离子约束屏(116c)向上延伸的内侧壁(116d)。等离子约束屏(116c)、内及外侧壁(分别为116d及116b)和外法兰(116a)最好互相联成一整体。

主权项

1、一种用于半导体制造的处理室，其特征在于，含有：一具有内表面的外壳，该内表面构成一个室，在半导体晶片处理期间，该室被抽真空；一具有带多个孔隙的等离子约束屏的室衬，等离子约束屏具有构成内圆周及外圆周的环形结构，圆柱形外侧壁从等离子约束屏的外圆周向上延伸一个第一距离，圆柱形内侧壁从等离子约束屏的内圆周向上延伸一个第二距离，第一距离比第二距离长，外侧壁从所述等离子约束屏向上延伸，而外法兰从所述外侧壁向外延伸，所述外法兰延伸至所述室外并伸入大气压力下的空间。