[发明专利]高分子半导体场效应晶体管

摘要

场效应晶体管由五个元件组成。第一元件是绝缘体层，它是一种电绝缘体，例如二氧化硅，并具有第一侧面和第二侧面。第二元件是栅，它是一种导电体，例如银，该栅定位在绝缘体层的第一侧面上。第三元件是半导体层，它包括一种聚合物，这种聚合物中至少10重量％的单体单元选自9位取代的芴单元和/或9，9位取代的芴单元，该半导体层具有第一侧面、第二侧面、第一端和第二端，半导体层的第二侧面位于绝缘体层的第二侧面上。第四元件是一个源，它是一种导电体，例如银，该源与半导体层的第一端电接触。第五元件是一个漏，它是一种导电体，例如银，该漏可与半导体层的第二端电接触。施加于栅的负偏压会在连接源与漏的半导体层中形成传导通道。另一方面，施加于栅的正偏压会在半导体层中形成导电通道。

主权项

1、一种场效应晶体管，包括：(a)绝缘体层，它是一种电绝缘体，并具有第一侧面和第二侧面；(b)栅，它是一种导电体，该栅与绝缘体层的第一侧面相邻；(c)半导体层，它包括至少一种基于芴的单体与至少一种选自芳族胺类、芪、二苯乙炔、C6-C20单核或多核芳烃以及C2-C10单核或多核杂环共轭单体基团，这种共聚物中至少10重量％的单体单元选自9位取代的芴单元和9，9位取代的芴单元，该半导体层具有第一侧面、第二侧面、第一端和第二端，半导体层的第二侧面与绝缘体层的第二侧面相邻；(d)源，它是一种导电体，该源与半导体层的第一端电接触；(e)漏，它是一种导电体，该漏可与半导体层的第二端电接触。