[发明专利]原子层沉积工艺的处理室

摘要

适用于标准多工具装置(1100)的处理台(1201)具有一个带有晶片支撑面(1307)的垂直传送基座(1215),晶片支撑面(1307)包括一个加热盘(1303)。当其处于低端位置时,可向处理台(1201)传送晶片(1219)或从处理台(1201)取出晶片(1219),当其处于高端位置时,与处理室(1204)中的低端环形开口一起形成一个环形泵取通道。在处理室(1204)低端开口处的可更换环(1253),允许处理过程的泵取速度根据不同的工艺而改变。基座(1215)还带有一个环形罩(1257),环形罩在基座(1215)周围形成环形泵取通道。一个两区加热盘(1303)位于基座(1215)的顶部,与馈通装置(1301)相连,允许快速简单地更换加热盘(1303)。处理室(1204)顶部可拆除,允许用户拆除基座(1215)或加热盘(1303)组件。此系统适用于原子层沉积工艺。

主权项

1.一种用于多工具系统的原子层沉积处理台，包括：最下端带有第一代表性区域的处理室；位于处理室部分下面的基底室，基底室部分带有一个真空泵取口、一个衬底传送口和位于处理室环形最下端下面的第二代表性区域，真空泵取口比第一代表性区域要大；上端带有衬底支撑面的衬底支撑基座，所述衬底支撑面带有第三代表性区域，它比第一代表性区域要小，通过一个允许垂直传送的动态真空密封与传送口下面的基底室相配合；垂直传送驱动系统，将衬底支撑基座传送至处理室最下端，使其上端的支撑面位于处理位置处，或将所述基座传送至位于泵取口之上，传送口之下的基底室部分中的下端传送位置处；以及安装到处理室上的可拆卸的气体供应盖，用于根据原子层沉积协议供应气体；其中，当衬底支撑基座处于处理位置时，衬底支撑基座的跨区域部分和较大的第一代表性区域，形成第一个泵取通道，其具有第一总体有效面积，决定了通过真空泵取口从处理室部分抽取的第一限制泵取速度，当衬底支撑基座处于下端传送位置时，衬底支撑基座的代表性区域和较大的第二代表性区域形成第二个泵取通道，其具有比第一有效面积更大的第二有效面积，允许从处理室抽取的第二限制泵取速度比第一限制泵取速度更大。