[发明专利]具有至少一只纳米电子元件的电路装置及其制法

摘要

安排在半导体衬底(S)内的至少一只CMOS元件是电路装置的部件。在半导体衬底(S)上安排覆盖CMOS元件的一绝缘层(1，2)。在绝缘层(1，2)之上安排纳米电子元件。至少一导电结构安排在绝缘层(1，2)内并用于连接纳米电子元件与CMOS元件。如果提供多只纳米电子元件，则它们优先组合成纳米电路块(N)，其中，纳米电路块(N)各是如此小，以致其导线(B)的RC时间不大于1纳秒。

主权项

1.一种具有纳米电子元件的电路装置，其中，～至少一只互补金属氧化物半导体CMOS元件是电路装置的部件并安排在半导体衬底(S)内，-覆盖该CMOS元件的绝缘层(1，2)安排在半导体衬底(S)上，-纳米电子元件安排在绝缘层(1，2)上，-在绝缘层(1，2)内至少安排用于连接纳米电子元件与CMOS元件的导电结构，-纳米电子元件分成多个纳米电路块(N)，每一纳米电路块(N)包含把各纳米电路块(N)的纳米电子元件彼此连接的导线(B)，其中，各个纳米电路块(N)是如此之小，以致其导线(B)的延迟时间不大于1纳秒，-CMOS元件是安排在半导体衬底(S)内的CMOS电路(C)的部件，-CMOS电路(C)是用于纳米电路块(N)的第一控制电路。-连接在纳米电路块(N)和CMOS电路(C)之间的第二控制电路(A)与每个纳米电路块(N)毗邻，-导电结构连接CMOS电路(C)和第二控制电路(A)，-第二控制电路(A)把导线如此组合在纳米电路块(N)内，使得与第二控制电路(A)连接的导电结构数小于导线(B)数。