[发明专利]硅带生长枝晶厚度的控制系统无效
| 申请号： | 99816416.X | 申请日： | 1999-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1419612A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·伊索兹;巴里·芒绍尔 | 申请（专利权）人： | 埃伯乐太阳能公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B15/26;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供在枝晶状硅网生长工艺中控制一对枝晶的厚度，用来提高枝晶状硅网的生产率的方法和系统。用一对瞄准枝晶对的摄像机形成从炉中硅熔体中出现的网中的每个枝晶的图像。将枝晶图像数字化，计算枝晶的平均厚度，并与设定点参数比较。枝晶厚度间的平均差和设定点参数用来控制整个炉温，而每一对的厚度差用来控制炉中的侧边温度分布，以使枝晶厚度在预定范围内。该方法可用在自动控制炉温和侧边温度分布的闭环模式中，也可用在向手动调节炉温条件的操作人员提供可视的反馈信息的开环模式中。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 厚度 控制系统 | ||
【主权项】：
1.一种控制炉中硅熔体温度的方法，该硅熔体用来制造在相对置的网边缘具有一对枝晶的枝晶状硅网，该方法包括下列步骤：(a)产生从枝晶状硅网生长炉中的硅熔体中出现的每个枝晶的图像；(b)计算每个枝晶的厚度；以及(c)使用算出的厚度调节炉温度，把枝晶厚度保持在预定范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于埃伯乐太阳能公司，未经埃伯乐太阳能公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99816416.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电磁炮
- 下一篇：在玻璃上形成掺铌氧化锡涂层的方法及由其形成的涂布玻璃
