[发明专利]芴共聚物以及由该共聚物制成的器件

摘要

本发明涉及(a)芴共聚物,包含至少10%(基于残余单体单元)的9－取代和/或9,9－二取代的芴部分和至少两种其它含离域P－电子的单体单元;(b)聚合物共混物,包含至少10重量%的(a)中限定的共聚物,和(c)含有衍生自这些共聚物的一层或多层薄膜的电子器件(例如聚合物发光二极管)。

主权项

1.一种包括单体单元的共聚物，且其进一步特征是具有：(a)至少10％的单体单元是芴部分，选自9-取代的芴部分、9，9-二取代的芴部分或其组合；和(b)至少1％的单体单元包括两种互不相同的其它部分，但都含有离域π-电子；其它部分独立地选自具有空穴传递性能的部分和具有电子传递性能的部分；其中如果这两种其它部分都具有空穴传递性能，则所述部分的至少一种衍生自茋或不含吸电子取代基的1，4-二烯、N，N，N’，N’-四芳基联苯胺、N-取代的咔唑、二芳基硅烷、以及不含吸电子取代基的噻吩/呋喃/吡咯。