[发明专利]用于具有高Q电抗元件的集成电路的设备和方法无效
| 申请号： | 99816462.3 | 申请日： | 1999-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1338119A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 小R·J·扎夫里尔;D·C·鲍曼 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种IC封装方案中,一种多层基片(114)由导电互连层(120,122,124)组成,被环氧树脂或陶瓷绝缘层分隔开并被通路连接。无源元件(102,104,106)可以通过应用于基片的材料技术来加强有源电路芯片的电气性能,达到最大程度。封装的材料选择可对给定的电路设计创造最佳无源集成。典型的应用包括电源旁路电容器、射频调谐和抗阻匹配。封装基片中无源元件的引入创造出新颖的电气可裁IC封装方法,能对任意给定芯片设计获得比原有方法更佳的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 电抗 元件 集成电路 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：至少一块在其上形成电路的半导体芯片；和在其表面上装有所述印模的叠层基片，所述基片具有单层或多层金属层和单层或多层绝缘层，所述芯片和一些所述的金属层电耦合；所述金属层具有第一金属结构，所述第一金属结构是互连的；所述金属层具有第二金属结构，所述的第二金属结构是将所述互连电耦合到其他所述互连和所述半导体芯片的通路；所述金属层中至少有一层具有至少一个第三金属结构，所述的第三金属结构是无源元件；所述的无源元件和所述的半导体芯片电耦合。
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