[发明专利]从熔体中生长氮化铝大直径单晶有效
| 申请号： | 99816819.X | 申请日： | 1999-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1361834A | 公开（公告）日： | 2002-07-31 |
| 发明（设计）人： | C·E·亨特 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在升高的温度下生长大直径的氮化铝(AlN)单晶。当在籽晶(130)上生长熔体中形成的AlN时,从熔体中拉起籽晶(130),该籽晶保持低于周围的液态铝的温度。同样公开了用于实施本方法的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 熔体中 生长 氮化 直径 | ||
【主权项】：
1.一种制造大直径AlN单晶的方法，包括步骤：将氮与液态Al的熔体接触并在熔体中形成AlN；将所形成的AlN以单晶形式沉积在籽晶上，所述籽晶与熔体物理接触。
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