[发明专利]掺锰钛酸钡薄膜材料及其制备方法无效
申请号: | 00100058.6 | 申请日: | 2000-01-03 |
公开(公告)号: | CN1095455C | 公开(公告)日: | 2002-12-04 |
发明(设计)人: | 吕惠宾;戴守愚;陈凡;赵彤;陈正豪;周岳亮;杨国桢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钛酸钡 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及材料领域。
钛酸钡(BaTiO3)是一种多功能材料,他是一种具有代表性的铁电体,并具有优良的压电、介电、光电和非线性光学性能。在存储器、光探测、光折变等方面有着广泛的应用。(如文献1:M.Sayer and K.Sreenivas,Science,247(1990)1056;和文献2:Gene H.Hearting,J.Vac.Sci.Technol.A,9(1991)414)。有人利用在BaTiO3中掺杂的方法,提高和改变BaTiO3的某些特性。(如文献3:中国专利,专利号:ZL 93104553.3)。文献3是制备单晶体材,且掺杂浓度仅为ppm量级。我们也申请了掺铌n型BaNbxTi1-xO3和掺铟p型BaInxTi1-xO3材料专利,(文献4:中国专利,专利申请号:99108057.2,文献5:中国专利,专利申请号:99123796.x)。
本发明提供另一种具有介电、铁电、热释电、导电和光学非线性等多种性能的掺锰P型钛酸钡(BaMnxTi1-xO3)块材、薄膜及制备方法。本发明采用Mn替代BaTiO3中一部分Ti的掺杂方法,从而提供P型BaMnxTi1-xO3块材和薄膜。本发明通过制备体材和用体材制备薄膜两部分工序来完成的。
BaMnxTi1-xO3薄膜的特性随着掺杂Mn的浓度不同而不同,当掺杂浓度低,即x的值偏小时,薄膜的介电、铁电和热释电等特性较强;当掺杂浓度高,即x的值增大时,薄膜的导电性较强。随着掺杂浓度的不同,材料还有不同的光学非线性特性。因此可以按特性的要求选取x进行化学配比。x的取值范围为:0.005-0.5。
制备块材的化学原料应选取纯度为99.95%以上的高纯材料,可选用不同的材料进行化学配方,这些材料可以是纯金属或它们的化合物。它们在高温中氧化为氧化物或加热分解为氧化物。其中原料所有金属原子的化学配比均为:Ba∶Ti∶Mn=1∶(1-x)∶x。其生成固相成分为BaMnxTi1-xO3。
配方组合为:
BaCO3+MnO+TiO2 (1)
BaO+Mn3O4+TiO2 (2)
BaO+MnO+TiO2 (3)
BaO+MnO2+TiO2 (4)
BaCO3+MnO2+TiO2 (5)
BaCO3+Mn+TiO2 (6)
BaCO3+Mn3O4+Ti (7)
BaO+Mn+Ti (8)八种组合。经过混合、研磨和压结成型后,都可以在空气或氧气或含有氧气的混合气体气氛中烧结反应生成BaMnxTi1-xO3。
块材和薄膜的具体制备方法如下:
1、制备块材
用烧结法制备块材。
从上述8种化学配方中任选一种,按所需块材尺寸的大小,按化学比分别精确称量好所需的各种原料。有以下三种制备方法:
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