[发明专利]半导体器件的生产工艺

权利要求书

1.一种用于从硅基片开始生产半导体器件的工艺，该半导体器件具有一个电容器部分，该部分包含铂族金属电极和铁电膜，该工艺包含一个清洁步骤，用于通过使用清洁溶液清洁和去除粘附在(1)与铂族金属电极接触形成的硅-基绝缘膜上和(2)硅基片的背面上的由铂族金属引入的杂质，所述清洁溶液包含用于清除金属的化学溶液和非常少量的氢氟酸及螯合剂。

2.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于在形成电容部分之后进行清洗步骤，其中电容部分包含铂族金属下部电极层、铁电膜和铂族金属上部层，接着形成硅基绝缘膜，其在形成除电容部分以外的元件部分时充当用于电容部分的保护层的作用。

3.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于清洗步骤是在形成覆盖电容部分的硅基内层绝缘膜之后进行的。

4.根据权利要求3所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于清洗步骤是在于硅基内层绝缘膜中形成接孔之后进行的，其中的接孔用于形成与电容部分相连的布线电极。

5.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于用于去除金属的化学溶液包含盐酸和过氧化氢。

6.根据权利要求5所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于用于去除金属的化学溶液中的盐酸的重量百分比浓度为1到10％。

7.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于用于去除金属的化学溶液包含硫酸和过氧化氢。

8.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于清洗溶液被用在从室温到低于清洗溶液的沸点的温度范围之内。

9.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于螯合剂为二元羧酸。

10.根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于在形成铂族金属层之前，在硅基片的背面形成薄的氧化膜层。

11、根据权利要求1所述的用于生产半导体器件的工艺，其特征在于只允许基片的背面与清洗溶液进行接触。