[发明专利]旋转阀磁阻传感器和带有这种旋转阀磁阻传感器的磁头

权利要求书

1.一种旋转阀磁阻传感器，包括：

一个一种铁磁性材料的自由层(2)；

一个非磁性层(3)，提供在所述自由层(2)上；

一个被栓接层(4)，提供在所述非磁性层(3)上；及

一个一种反铁磁性材料的栓接层(5)，提供在所述被栓接层(4)上，所述反铁磁性材料是含锰的有序合金；

其特征在于：所述被栓接层(4)包括：

一个一种铁磁性材料的第一被栓接层(4c)；

一个一种铁磁性材料的第二被栓接层(4a)，提供在所述第一被栓接层(4c)上；及

一个中间层(4b)，插入在所述第一与第二被栓接层(4c、4a)之间，从而所述第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。

所述第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。

2.根据权利要求1所述的旋转阀磁阻传感器，其特征在于所述第一和第二被栓接层(4c、4a)具有基本上相同的材料，所述第一被栓接层(4c)的厚度小于所述第二被栓接层(4a)的厚度。

3.根据权利要求1所述的旋转阀磁阻传感器，其特征在于：在所述第一被栓接层(4c)的厚度与所述第二被栓接层(4a)的厚度之间的差值等于或大于约5埃。

4.根据权利要求1所述的旋转阀磁阻传感器，

其特征在于：所述第一被栓接层(4c)的磁化取向与所述第二被栓接层(4a)的磁化取向相反，并且基本与之平行，

在所述第二被栓接层(4a)的磁化方向与所述自由层(2)的易磁化轴之间形成的角为直角，或在所述直角的±20度的范围内，及

包括所述第一和第二被栓接层(4c、4a)的所述被栓接层4，具有大于或等于约600Oe的有效各向异性磁场H_ua。

5.根据权利要求1所述的旋转阀磁阻传感器，其特征在于：所述栓接层(5)由从包括PdPtMn、PtMn、PdMn、NiMn及CrMn的组中选择的材料制成。

6.根据权利要求1所述的旋转阀磁阻传感器，其特征在于：所述中间层(4b)由Ru制成。

7.一种制造旋转阀磁阻传感器的方法，该传感器包括：

一个一种铁磁性材料的自由层(2)；

一个非磁性层(3)，提供在所述自由层(2)上；

一个被栓接层(4)，提供在所述非磁性层(3)上；及

一个一种反铁磁性材料的栓接层(5)，提供在所述被栓接层(4)上，所述反铁磁性材料是含锰的有序合金；

所述被栓接层(4)包括：

一个一种铁磁性材料的第一被栓接层(4c)；

一个一种铁磁性材料的第二被栓接层(4a)，提供在所述第一被栓接层(4c)上；及

一个中间层(4b)，插入在所述第一与第二被栓接层(4c、4a)之间，从而所述第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用；

所述第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩，其特征在于所述方法包括步骤：

a)以自由层(2)、非磁性层(3)、第一被栓接层(4c)、中间层(4b)、第二被栓接层(4a)、及反铁磁性层的顺序形成一个多层体；

b)在一个用来调节所述栓接层(5)的磁性状态和固定第一和第二被栓接层(4c、4a)的磁化取向的磁场内，实现一种第一热处理；及

c)在同磁场内的所述第一热处理相比具有较低温度和较弱磁场的环境中，在用来调节所述自由层(2)的磁各向异性的一个磁场内，实现一种第二热处理。

8.根据权利要求7所述的制造旋转阀磁阻传感器的方法，其特征在于：所述步骤b)在小于或等于约500Oe或者大于或等于约7000Oe的磁场中在约280℃的温度下实现。

9.根据权利要求7所述的制造旋转阀磁阻传感器的方法，其特征在于：所述步骤b)在约20与100Oe之间或者大于或等于约9000Oe的磁场中在约280℃的温度下实现。

10.根据权利要求7所述的制造旋转阀磁阻传感器的方法，其特征在于：所述步骤c)在小于或等于约500Oe的磁场中在约230℃的温度下实现。