[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种具有倒装晶片式的半导体发光元件的发光二极管，包括：

一个矩形的倒装晶片；和

一个在其上放置所述倒装晶片的矩形子座，所述子座的一个较短的侧边，比所述倒装晶片的对角线长；

所述倒装晶片放置在所述子座上，使所述倒装晶片的一个侧边，与所述子座的一个相应侧边相交。

2.一种具有倒装晶片式半导体发光元件的发光二极管，包括：

一个基本上为方形的倒装晶片；和

一个在其上放置所述倒装晶片的基本上为方形的子座；

所述倒装晶片按照下述位置和姿势放置在所述子座上，该位置和姿势是通过将所述倒装晶片的中心点和中心轴线重叠在所述子座的中心点和中心轴线上，接着使所述倒装晶片围绕着其中心点回转一个预先确定的角度而得到的。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其中，该预先确定的角度大约为45°。

4.如权利要求1～3中任何一项所述的发光二极管，其中，所述子座由一块半导体基片制成，并且，在所述半导体基片内，形成一个过电压保护的二极管。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述用于过电压保护的二极管位于所述子座的一个上部暴露区域的下面。

6.如权利要求1～5中任何一项所述的发光二极管，其中，所述子座由一块半导体基片制成，在所述基片的上表面上，形成一层绝缘薄膜，并且，所述倒装晶片的二个引线电极中的至少一个引线电极，作在所述绝缘薄膜上，该至少一个引线电极位于放置所述倒装晶片之后，留下的一个上部暴露区域中。

7.如权利要求4或6所述的发光二极管，其中，所述半导体基片的一个底部表面，可以作为所述倒装晶片的二个引线电极中的一个引线电极，并且，所述半导体基片直接与用于容纳所述半导体基片和将电压加在所述倒装晶片上的一个引线框架连接。

8.如权利要求4或5所述的发光二极管，其中，所述半导体基片是绝缘的，而所述倒装晶片的二个引线电极，作在所述子座上，位于放置所述倒装晶片之后，留下的一个上部暴露区域中。

9.如权利要求1～3中任何一项所述的发光二极管，其中，所述子座是绝缘的，而所述倒装晶片的二个引线电极，作在所述子座上，位于放置所述倒装晶片之后，留下的一个上部暴露区域中。

10.如权利要求1～8中任何一项所述的发光二极管，其中，在所述子座的该上部暴露区域上，作有一个用于检测所述子座位置或姿势的标记。

11.如权利要求1～10中任何一项所述的发光二极管，其中，在所述子座上，形成一个用于反射从所述倒装晶片发出的光的反光薄膜。

12.如权利要求1～5中任何一项所述的发光二极管，其中，在所述子座上，形成一个该倒装晶片的引线电极，该引线电极还可作为反射从所述倒装晶片发出的光的一个反光薄膜。

13.如权利要求8或9所述的发光二极管，其中，所述二个引线电极覆盖在所述倒装晶片下面的一个区域，并可作为反射从所述倒装晶片发出的光的反光薄膜。

14.如权利要求8或9所述的发光二极管，其中，所述二个引线电极基本上覆盖所述子座的整个上表面，并可作为反射从所述倒装晶片发出的光的反光薄膜。

15.如权利要求7所述的发光二极管，其中，所述用于过电压保护的二极管的形成区域不同于形成焊盘的区域。