[发明专利]单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法有效
申请号: | 00101821.3 | 申请日: | 2000-01-29 |
公开(公告)号: | CN1307366A | 公开(公告)日: | 2001-08-08 |
发明(设计)人: | D·陈;T·C·许;X·何 | 申请(专利权)人: | 全视技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单片 彩色 金属 氧化物 半导体 图像传感器 相邻 读出 方法 | ||
1.一种对单片彩色MOS图像传感器读出相邻行的方法,该传感器有一个像素阵列,由许多像素按照许多行和许多列组织起来。所指方法由以下步骤组成:
(a)把像素阵列中第一行的每个像素的信号存储到与所指第一行的所指每个像素相关的至少一个存储单元中,该单元在所指像素的外面并与像素制作在同一个MOS芯片上。
(b)把像素阵列中第二行的每个像素的信号存储到与所指第二行的所指每个像素相关的至少一个存储单元中,该单元在所指像素的外面并与像素制作在同一个MOS芯片上。
(c)选择性地读出至少一个存储有像素信号的所指存储单元,从两个像素中读出信号,一个像素来自所指第一行,一个像素来自所指第二行。
2.权利1中的方法,其中提到的像素阵列中的第一行与第二行是相邻的,并且后面跟随有第三行。
3.权利2中的方法,其中第一行和第二行的像素信号在偶数场中是同时读出的,其中第二行和第三行的像素信号在奇数场中是同时读出的。
4.权利1中所方法,其中所指存储单元由电容构成。
5.由下列组成的单片彩色MOS图像传感器:
像素阵列是由许多像素按照许多行和许多列组成的。并且:
一种至少具有两条输出线的读出结构连接到所指的像素阵列上,可以同时读出所指像素阵列两行像素,所指读出结构由以下部分组成:
(a)第一组存储电容。所指第一组电容中有至少一个电容与所指像素阵列中每一列相连。
(b)第一组开关在初始化时把所指像素阵列的第一行的信号选择性地放到所指第一组存储电容上。在所指的初始化时,所指第一行的每一个像素的信号要存储到与所指每一个像素所在列相连的所指第一组存储电容中的至少一个电容上。第一组开关在晚一些的时间里也要选择性地把来自所指像素阵列的第三行的信号,存储到所指第一组存储电容上。
(c)第二组存储电容。所指第一组电容中有至少一个电容与所指像素阵列中每一列相连。
(d)第二组开关把所指像素阵列的第二行的信号选择性地放到所指第二组存储电容上。所指第二行的每一个像素的信号要存储到与所指每一个像素所在列相连的所指第二组存储电容中的至少一个电容上。
6.权利5中的图像传感器,其中在所指输出线上至少两条线的信号,在特定时间同时含有同一列上相邻像素的信号。
7.权利6中的图像传感器,其中在所指输出线上所指同时的信号线,与另一组同时信号线交替出现在第二组输出线上。所指像素阵列的行分为第一组行和第二组行,所指第一组行和所指第二组行以交替的方式组成所指阵列,在所指第一组行交替出现第一种和第三种彩色滤波器、在所指第二组行交替出现第二种和第四种彩色滤波器组成彩色滤波器图案。
8.权利5中的结构,包括第三组开关,从所指的第一组和第二组存储电容中读出所指信号,作为信号线放在输出线上。
9.权利5中的图像传感器,其中提到的像素阵列的第一行和第二行是相邻的,后面跟有第三行。
10.权利9中的图像传感器,其中在偶数场中,所指第一行和第二行像素的信号同时读出,在奇数场中,所指第二行和第三行像素的信号同时读出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的