[发明专利]用有机和无机杂化材料作半导电沟道的薄膜晶体管有效
申请号: | 00101884.1 | 申请日: | 2000-02-02 |
公开(公告)号: | CN1145218C | 公开(公告)日: | 2004-04-07 |
发明(设计)人: | K·肖德鲁迪斯;C·D·蒂米特拉科普洛斯;C·R·卡干;I·克米斯斯;D·B·米特兹 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永;王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 无机 材料 导电 沟道 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】:
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