[发明专利]引线框架及其电镀方法无效
| 申请号： | 00101997.X | 申请日： | 2000-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1290963A | 公开（公告）日： | 2001-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李圭汉;李尚勋;姜圣日;朴世哲 | 申请（专利权）人： | 三星航空产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/50;C23C30/00;C23C28/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线 框架 及其 电镀 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种半导体封装的引线框架的制造方法，包括：
在金属衬底上用镍(Ni)或Ni合金形成保护层；
在保护层上用钯(Pd)或Pd合金形成中间层；
用Pd和金(Au)交替电镀中间层表面至少一次，形成包含Pd和Au颗粒的最外层。
2．按权利要求1的方法，其中，在交替电镀形成最外层的步骤中，可以首先在中间层上电镀Pd或Au。
3．一种半导体封装的引线框架，包括：
在金属衬底上用镍(Ni)或Ni合金形成的保护层；
保护层上用钯(Pd)形成的中间层；
在Pd中间层上用Pd和Au形成的最外层。
4．一种半导体封装的引线框架，包括：
在金属衬底上用镍(Ni)或Ni合金形成的保护层；和
在保护层上用Pd和Au形成的最外层。
5．一种半导体封装的引线框架，包括：
在金属衬底上用Ni或Ni合金形成的保护层；
在保护层上用钯(Pd)形成的中间层；和
在中间层上用金(Au)或金合金形成的电镀区，中间层的表面部分露出。
6．按权利要求5的引线框架，其中，电镀区的厚度在0．03微英寸之下。
7．按权利要求5的引线框架，其中，Au合金是Au-Pd合金或Au-Ag(银)合金。
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