[发明专利]可磁调谐并可闩锁的宽范围半导体激光器

权利要求书

1.一种包含可调谐激光器的装置，该可调谐激光器包括：

一种激光器结构，包括一个下部反射器、一个激活激光区、和包含界定一段可调节空隙的可移动反射器部分的一个上部反射器；

一种磁性材料，位于从可移动反射器部分的表面选出的一个表面上，和一个与可移动反射器部分相连的表面；及

一块可编程磁铁，它能使磁性材料产生受控的移动，磁性材料的移动又带动可移动反射器部分的移动，于是可移动反射器部分与不可移动反射器部分之间的间距能够被调节。

2.按照权利要求1的装置，其中的上部反射器还包括一个不可移动的反射器部分，它紧邻激活激光区，位于可调节空隙与可移动反射器部分相对的位置。

3.按照权利要求2的装置，其中调节可移动反射器部分与不可移动反射器部分之间的可调节空隙，控制激光器结构的输出波长。

4.按照权利要求1的装置，其中的激光器结构包括一种表面发射激光器。

5.按照权利要求4的装置，其中的激光器结构包括一种竖直腔表面发射激光器。

6.按照权利要求1的装置，其中的激活激光区包括一种III-V族化合物半导体。

7.按照权利要求6的装置，其中的激活激光区是从Al_1-xGa_xAs、In_1-xGa_xAs_1-yP_y、Al_xGa_yIn_1-x-yP、和In_1-xGa_xAs中选出的。

8.按照权利要求1的装置，还包括至少一个螺线管，能用之对可编程磁铁施加一个磁场。

9.按照权利要求1的装置，其中的可编程磁铁能够闩锁可移动反射器部分的移动。

10.按照权利要求9的装置，其中被闩锁的移动至少为施加磁场时产生的移动的85％。

11.按照权利要求3的装置，其中的激光器结构的输出波长能够在至少20nm的范围内调谐。

12.按照权利要求11的装置，其中的激光器结构的输出波长能够在至少40nm的范围内调谐。

13.按照权利要求1的装置，其中的上部反射器和下部反射器包括一些选自分布布拉格反射器、介质反射镜、和反射膜等反射结构。

14.按照权利要求1的装置，其中的激活激光区包括至少一个量子阱层。

15.按照权利要求1的装置，其中的磁性材料至少包括Fe、Ni、Co、坡莫合金、Nd-Fe-B、和Sm-Co中的一种。

16.按照权利要求1的装置，其中至少一块可编程磁铁有矩形的磁化磁滞回线，其矩形比至少为0.85。

17.按照权利要求16的装置，其中的可编程磁铁至少包括选自Fe-Cr-Co、Fe-Al-Ni-Co、Cu-Ni-Fe、Co-Fe-V、稀土钴、Nd-Fe-B、钡铁氧体、和锶铁氧体中的一种合金。

18.按照权利要求1的装置，其中的磁性材料选自软的、硬的、或可编程的磁性材料。

19.按照权利要求1的装置，其中支承可移动反射器部分的结构，是从一个悬臂结构、一个铰链结构、和一个枢轴结构中选出来的。

20.按照权利要求1的装置，还包括：第二磁性材料，位于一个表面上，该表面选自可移动反射器部分的一个表面和一个与可移动反射器相接触的表面，和第二可编程磁铁，它能使第二磁性材料产生受控的移动。

21.按照权利要求1的装置，其中的磁性材料直接放在可移动反射器部分的上面。

22.按照权利要求1的装置，其中的磁性材料直接放在与可移动反射器部分相装配的扩展部分的上面。

23.按照权利要求1的装置，其中的装置是一个探测器装置。

24.按照权利要求1的装置，其中的装置是一个波分复用系统。