[发明专利]半导体装置、用该装置的微传动机构、微阀和微继电器及其制法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征是由半导体基板、根据温度变化相对于所述半导体基板变位的可挠区域、在所述半导体基板和所述可挠区域之间设置的连接所述半导体基板和所述可挠区域的树脂制的热绝缘区域构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是构成所述热绝缘区域的材料具有热传导率在0.4W/(m·℃)以下的特性。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征是构成所述热绝缘区域的材料为聚酰亚胺。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征是构成所述热绝缘区域的材料为氟系树脂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征是在所述热绝缘区域设置有比构成所述热绝缘区域的材料要硬的材料构成增强层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征是所述增强层的杨氏模量在9.8×10⁹N/m²以上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征是所述增强层为二氧化硅薄膜。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征是所述半导体基板以及所述可挠区域与所述热绝缘区域连接的部分相互成梳刀状。

9.一种半导体装置，其特征是包括权利要求1～8中任一项所述的半导体装置和与所述可挠区域连设的可动元件，当所述可挠区域的温度变化时，所述可动元件相对于所述半导体基板变位。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域具有单端支撑梁构造。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征是所述可动元件由多个所述可挠区域支撑。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域由所述可动元件夹持成十字形状。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征是所述可动元件的变位包含相对于所述半导体基板的基板面在水平方向旋转的变位。

14.根据权利要求11或13所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域为分别成L字形状的4个可挠区域以所述可动元件为中心在4个方向等间隔设置。

15.根据权利要求9～14中任一项所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域由具有不同热膨胀系数的至少2个区域构成，根据热膨胀系数的差异变位。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域包括由硅构成的区域和由铝构成的区域。

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域包括由硅构成的区域和由镍构成的区域。

18.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征是构成所述可挠区域的区域中的至少一个区域是由和所述热绝缘区域为同一材料构成的区域。

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域包括由硅构成的区域，同时包括作为和所述热绝缘区域为同一材料构成的区域是由聚酰亚胺构成的区域。

20.根据权利要求18所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域包括由硅构成的区域，同时包括作为和所述热绝缘区域为同一材料构成的区域是由氟系树脂构成的区域。

21.根据权利要求9～14中任一项所述的半导体装置，其特征是所述可挠区域由形状记忆合金构成。

22.根据权利要求9～21中任一项所述的半导体装置，其特征是在所述可挠区域和所述可动元件之间设置有连接所述可挠区域和所述可动元件的由树脂构成的热绝缘区域。

23.根据权利要求22所述的半导体装置，其特征是设置在所述半导体基板和所述可挠区域之间的热绝缘区域的刚性和设置在所述可挠区域和所述可动元件之间的热绝缘区域的刚性不同。

24.根据权利要求9～23中任一项所述的半导体装置，其特征是包括为加热所述可挠区域的加热部件。

25.根据权利要求9～24中任一项所述的半导体装置，其特征是向为加热所述可挠区域的加热部件供给电力的布线不介入所述热绝缘区域形成。