[发明专利]不具芯片的浪涌吸收器

说明书

本发明涉及电子元件，详言之，是关于不具芯片的浪涌吸收器(管)。

导致浪涌离散波和静电干扰等等为电子元件的根深抵固的障碍。高压杂波会导致电子元件中半导体元件的错误操作，且有时候甚至会破坏半导体或装置本身。然而，使用浪涌吸收器可解决这些问题。

传统的浪涌吸收器一般在绝缘微间隙之间安置芯片或放电磁芯，且将所述芯片密封于玻璃壳体内。例如，在由三铃材料公司(Mitsubishi Materials K.K.公)所制造的微间隙浪涌吸收器中，在陶制磁芯上形成一层导电薄膜，且在芯片两端固定有帽状金属电极。然后，藉由激光光束将导电薄膜移除，形成间隙或微间隙。其后，将以此方式形成的放电芯片(放电磁芯)密封于玻璃管内。因此，在传统芯片形式的浪涌吸收器内，可由微间隙或称(以间隙形式呈现沟槽)宽度决定放电电压。

再者，传统上，已知以微沟槽分割导电薄膜而形成的浪涌吸收器。然而，要在此种型式的浪涌吸收器中自由选择切换电压是很困难的，所以，严重地限制其使用性。为了克服这一缺点，美国专利第4,727,350号披露一种浪涌吸收器，它包含有交错式微沟槽之导电薄膜覆盖柱状管形磁芯，且将其密封于玻璃壳体内。

在日本公开特许公报第平成8-306467号中，本发明人同样提出了可解决上述问题的浪涌吸收器。在此浪涌吸收器中，将管芯放置在壳体中的一对电极之间，且在气室内充满惰性气体。这种配置使得浪涌吸收器能吸收较传统更高的切换电压。

然而，上述每一个浪涌吸收器均是由预先形成决定其放电特性的放电芯片或放电管，然后将此芯片或管芯密封在壳体中进行组装制成的。因此其结构复杂、制造程序烦琐，所以很难降低生产成本。特别是在最近几年内，要求浪涌吸收器安装在电子元件内以便可保护元件及减少电源供应器的电压波动。因此，由于上述的种种问题将直接导致整体装备的成本增加。

另外，传统浪涌吸收器放电电流将流过管芯。因此这些浪涌吸收器将无法抗衡高切换电压，如10000伏特，且无法在吸收浪涌的同时，亦可完全吸收大量浪涌能。结果导致的问题是，因为此残余电压，所以将在电路系统中产生伴随电流(follow current)(这是由残余电压所引起的电流，将流入受保护的电子元件)。再者，在传统装置中，问题是切换电压将随管状磁芯的特性而变化。

为了解决此问题，本发明之申请者在所提出的日本专利申请第平成10-189486号中提供因结构简单而可大量制造的浪涌吸收器，它可适用在大范围的浪涌电压和最大浪涌电流的情况。

依据先前所提出的发明，本发明人提出可在大范围切换电压中进行浪涌吸收的改进式浪涌吸收器。此种浪涌吸收器可瞬间吸收大量的能量，因为在吸收突波的同时，其电阻亦大大地降低。可以确保将先前在吸收浪涌波后所遗留下的任何残余电压完全去除。因此可避免由残余电压产生伴随电流。再者，可藉由设计浪涌吸收器之各零件微调各种放电电压、放电速度和浪涌波承受量(浪涌电流)的浪涌吸收器。

先前发明所提出的浪涌吸收器的特性是将一对具有导线端子的电极相隔一定距离放置，在此特定距离下，将壳体俩端熔化并使其熔接至放电极或导线端子上。

在先前的发明中，因为这对放电极精确地维持在此种配置下，所以可使放电极在壳体中相隔特定距离而互相对立。但是，当维持此种配置时，另要加热壳体，电极或导线端子焊接密封在壳体中。这种方式可任意选择二个放电极之间的距离，并可方便地精确调整其距离。

然而，在上述背景技术中，必须使用具有不同直径的各种放电极，以便提供用于各种浪涌电压标准的浪涌吸收器。本浪涌吸收管的特性，特别是浪涌电压和最大浪涌电流，是由对立放置的电极间隙、气室大小、以及电极形状等各种因素决定的。然而，放电极直径是决定浪涌吸收器特性的最主要因素，因此，为处理各种标准的浪涌的电压，必须提供各种具有不同半径的电极。