[发明专利]微熔接及微组立加工制造方法

权利要求书

1、一种微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于它包括如下步骤：

(1)用修整线修整电极端面，并将电极修整到所需直径；

(2)用电极以放电加工方式于底板上作出贯穿孔；

(3)再次用修整线修整因钻孔而损耗的电极端面；

(4)用修整线于电极适当位置修整出一道颈口；

(5)将电极移动穿过贯穿孔停于适当位置；

(6)调整三轴雷射位置进行雷射三点微熔接该电极与底板；

(7)转动主轴使电极于直径较细的颈口部分扭断；

(8)再以修整线修整剩余电极的端面；

(9)用电极以微放电加工修平熔接平面。

2、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接系采用阵列式，并从电极背面进行。

3、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接为单一电极熔接时，应于电极尚未扭断前进行雷射熔接。

4、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接为单一电极熔接时，三轴雷射同时使用，并且均匀分布于电极背面，确保熔池呈60°均匀分布。

5、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的熔池深度应满足电极与底板有效地接合。

6、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接为多极熔接时，贯穿孔加工与电极熔接应间隔进行。

7、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的单一电极熔接完成并扭断后，以微放电加工修平底板背面。

8、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的扭断电极时所需的颈口直径不可大于前端所修的电极直径。

9、根据权利要求8所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的颈口最低位置不低于雷射熔接时会被熔融的高度，最高位置不高于影响修平底板的高度。

10、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的扭断电极的方式系采用便于找出允许最大颈口直径的主轴旋转直接扭断方式。

11、根据权利要求2所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的阵列式雷射微熔接更换电极后，可进行一次程式原点的重新定位。

12、根据权利要求2所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的阵列式雷射熔接时，应于电极尚未扭断前进行雷射熔接。

13、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的被加工的电极作设置定位面的微改变，再以微放电穿入贯穿孔。

14、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射微熔接部分采用浅层熔接。

15、根据权利要求1所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的修整线为黄铜线、钨线或钼线。

16、一种微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于它包括如下步骤：

(1)用修整线修整电极端面，并将电极修整到所需直径；

(2)用电极以放电加工方式于底板上作出贯穿孔；

(3)再次用修整线修整因钻孔而损耗的电极端面；

(4)用修整线于电极适当位置修整出一道颈口；

(5)将电极移动穿过贯穿孔停于适当位置；

(6)精确使用瞬间接着剂，将胶适度加于电极背面适当位置；

(7)转动主轴使电极于直径较细的颈口部分扭断；

(8)将工件底板移到雷射微熔接设备，并调整三轴雷射位置进行雷射三点微熔接该电极与底板；

(9)再以修整线修整剩余电极的端面；

(10)用电极以微放电加工修平熔接平面。

17、根据权利要求16所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接系采用阵列式，并从电极背面进行。

18、根据权利要求16所述的微熔接及微组立加工制造方法，其特征在于所述的雷射熔接为单一电极熔接时，应于电极尚未扭断前进行雷射熔接。