[发明专利]用于铜互连的阻挡层的形成方法

权利要求书

1.一种在晶片(200)上形成阻挡层(220)的方法，该方法的特征在于：

将晶片(200)置于处理室(40)中；

在第一时间周期内给溅射靶(48)加电；

在第二时间周期内给线圈(52)加电，其中第二时间周期不同于第一时间周期；及

在淀积阻挡层(220)期间控制加于溅射靶(48)和线圈(52)上的功率。

2.一种在晶片(200)上形成钽阻挡层(220)的方法，该方法的特征在于：

形成具有第一张力的第一部分钽阻挡层(220)；

形成具有第二张力的第二部分钽阻挡层(220)，其中第二张力不同于第一张力；及

在钽阻挡层(220)上形成导电材料(222)，其中导电材料(222)主要包括铜。

3.一种在至少一个晶片(200)上形成阻挡层(220)的方法，该方法的特征在于：

用难熔金属氮化膜涂敷处理室(40)的表面；

在至少一个晶片(200)上形成阻挡层(220)，其中阻挡层(220)由难熔金属构成；及

一定时间周期后，用另一难熔金属氮化膜再涂敷处理室(40)的表面。

4.一种在晶片(200)上形成层的方法，该方法的特征在于：

将晶片置于处理室(70)内，该处理室具有靶(78)和线圈(82)；及

从靶(78)上去除第一材料，从线圈(82)上去除第二材料，并在晶片(200)上淀积第一材料和第二材料。

5.如权利要求4的方法，其中第二材料的晶粒尺寸小于约50微米。

6.一种在晶片(200)上形成层(220)的方法，该方法的特征在于：

在介质层中形成开口(212)，其中开口露出底层互连(202)，其中开口(212)的角部形成在开口的侧壁部分与基本垂直于所说侧壁部分的介质层表面相交的区域；及

腐蚀开口(212)，其中加于线圈(26)的第一功率至少是加于晶片基座(24)的第二功率的两倍，其中腐蚀开口将角部(206a，210a)倒圆。

7.如权利要求6的方法，其特征还在于：

腐蚀开口(212)后，在开口(212)中形成阻挡层(220)；及

形成含铜层(222)，覆盖阻挡层(220)。

8.一种在晶片(200)上形成层(222)的方法，该方法的特征在于：

将具有露出阻挡区(220)的晶片(200)置于处理室(70)中；及

将晶片(200)固定于底下的支撑部件(86)上，其中固定晶片包括用夹具(85)，夹具(85)具有接触晶片的接触部分(100)和位于晶片(200)之上与接触部分相邻的遮蔽部分，遮蔽部分位于从晶片(200)的表面算起小于约8密耳的距离处。

9.如权利要求8的方法，其中夹具(85)防止在晶片(200)的字母数字识别区(106)上形成层(222)。

10.一种在晶片(200)上形成层(220)的方法，该方法的特征在于以下步骤：

将晶片(200)置于处理室(40)内的基座(56)上，其中处理室(40)包括位于基座(56)外围周围的隔离环(53)，其中基座(56)被偏置到第一偏置功率；及

将处理室的第二区偏置到第二偏置功率，其中隔离环(53)分隔第二偏置功率和第一偏置功率，并且在晶片(200)上形成层(220)之前，用导电材料涂敷隔离环(53)的在形成层(220)期间暴露于处理室环境的部分。