[发明专利]MIS半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在基片上形成半导体层；

用激光照射所述半导体层使其晶化，

其中所述激光为Nd激光器的第二谐波激光。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述基片为玻璃基片。

3.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述半导体层包括选自硅、硅锗合金、碳化硅、锗、硒化镉、硫化镉、砷化镓一组中的一种材料。

4.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在基片上形成半导体层；

用激光照射所述半导体层使其晶化，

其中所述激光为包括含有作为振荡源的晶体的Nd的激光器的第二谐波激光。

5.按照权利要求4的方法，其特征在于，所述基片为玻璃基片。

6.按照权利要求4的方法，其特征在于，所述半导体层包括选自硅、硅锗合金、碳化硅、锗、硒化镉、硫化镉、砷化镓一组中的一种材料。

7.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在基片上形成半导体层；

用激光照射所述半导体层使其晶化，

其中所述激光为Nd∶YAG激光器的第二谐波激光。

8.按照权利要求7的方法，其特征在于，所述基片为玻璃基片。

9.按照权利要求7的方法，其特征在于，所述半导体层包括选自硅、硅锗合金、碳化硅、锗、硒化镉、硫化镉、砷化镓一组中的一种材料。

10.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在基片上形成半导体层；

使所述半导体层晶化；

在所述半导体层上制出至少一个半导体岛的图案；

在所述半导体岛部分引入杂质离子；

照射激光使所述半导体岛部分中引入的杂质离子激活，

其中所述激光为Nd激光器的第二谐波激光。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述杂质为磷。

12.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅。

13.根据权利要求10的方法，其特征在于，还包括在所述半导体岛上形成栅电极的步骤。

14.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述Nd激光器为Nd∶YAG激光器。

15.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成半导体层；

用脉冲激光照射所述半导体层使其晶化，

其中所述激光为Nd激光器的第二谐波激光。

16.根据权利要求15的方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅。

17.根据权利要求15的方法，其特征在于，所述半导体层形成为岛状。

18.根据权利要求15的方法，其特征在于，所述Nd激光器为Nd∶YAG激光器。

19.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成掺杂有选自磷和硼一组中一种杂质的半导体层；

用脉冲激光照射所述半导体层，

其中所述激光为Nd激光器的第二谐波激光。

20.根据权利要求19的方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅。

21.根据权利要求19的方法，其特征在于，所述半导体层形成为岛状。

22.根据权利要求19的方法，其特征在于，所述Nd激光器为Nd∶YAG激光器。

23.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成半导体层；

选择性地引入杂质离子到所述半导体层中，以在该半导体层中形成掺杂区；

用脉冲激光照射所述半导体层，以对所述掺杂区进行退火，

其中所述激光为Nd激光器的第二谐波激光。

24.根据权利要求23的方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅。

25.根据权利要求23的方法，其特征在于，所述半导体层形成为岛状。

26.根据权利要求23的方法，其特征在于，所述Nd激光器为Nd∶YAG激光器。