[发明专利]具有电子发射器件的电子源及图象形成装置的制造方法无效
| 申请号： | 00104368.4 | 申请日： | 1995-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1283863A | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 岩崎达哉;山野边正人;塚本健夫;山本敬介;浜元康弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电子 发射 器件 图象 形成 装置 制造 方法 | ||
1．一种电子源的制造方法，该电子源包括许多排列在基板上的电子发射器件，该电子发射器件的电极之间有一个带有电子发射区的导电膜，其特征是该方法包括一个形成步骤，在具有电子发射区的上述导电膜的电子发射区内形成一个主要由金属构成的膜。
2．按照权利要求1的电子源的制造方法，其特征是上述形成一个主要由金属构成的步骤中包括向上述导电膜施加电压的步骤。
3．按照权利要求1的电子源的制造方法，其特征是上述形成一个主要由金属构成的膜的步骤包括在一个电镀槽中向上述导电膜施加电压的步骤。
4．按照权利要求1的电子源的制造方法，其特征是上述形成一个主要由金属构成的膜的步骤包括在含有上述金属元素的一种金属化合物环境中向上述导电膜施加电压的步骤。
5．按照权利要求4的电子源的制造方法，其特征是上述形成一个主要由金属构成的膜的步骤还包括在含氢的环境中向上述导电膜施加电压的步骤。
6．按照权利要求4的电子源的制造方法，其特征是上述金属化合物是从属于族Ⅳa，Ⅴa，Ⅵa，Ⅶa及Ⅷa的一组元素中送出的一种元素的化合物。
7．按照权利要求4的电子源的制造方法，其特征是上述金属化合物是从属于族Ⅳa，Ⅴa，Ⅵa，Ⅶa及Ⅷa的一组元素中选出的一种元素的卤化物。
8．按照权利要求7的电子源的制造方法，其特征是上述卤化物是一种氟化物。
9．按照权利要求8的电子源的制造方法，其特征是上述氟化物是WF6。
10．按照权利要求4的电子源的制造方法，其特征是上述金属化合物是从属于族Ⅳa，Ⅴa，Ⅵa，Ⅶa及Ⅷa的一组元素中选出的一种元素的羰基化合物。
11．按照权利要求10的电子源的制造方法，其特征是上述羰基化合物是W(CO)6或Mo(CO)6。
12．按照权利要求4的电子源的制造方法，其特征是上述金属化合物是从属于族Ⅳa，Ⅴa，Ⅵa，Ⅶa及Ⅷa的一组元素中选出的一种元素的enyl络合物(enyl complex)。
13．按照权利要求12的电子源的制造方法，其特征是上述enyl络合物是W(C5H5)2H2或Hf(C5H5)2H2。
14．按照权利要求1的电子源的制造方法，其特征是上述电子发射区是形成在上述导电膜中的一种缝隙。
15．按照权利要求1至14中任何一项的电子源的制造方法，其特征是上述电子发射器件是一种面传导电子发射器件。
16．按照权利要求15的电子源制造方法，其特征是上述电子发射器件都是面传导电子发射器件。
17．一种包括电子源和图象形成元件的图象形成装置的制造方法，电子源由排列在基板上的许多电子发射器件构成，其特征是上述电子源是用权利要求1至15中任何一项所述的方法制成的。
18．按照权利要求17的图象形成装置制造方法，其特征是上述电子发射器件都是面传导电子发射器件。
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