[发明专利]高速数字信号驱动电路在审
| 申请号： | 00104573.3 | 申请日： | 2000-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1315784A | 公开（公告）日： | 2001-10-03 |
| 发明（设计）人： | 尹登庆 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/003 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 数字信号 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1、一种高速数字信号驱动电路，包括CMOS反相器，其特征在于还包括：
主驱动单元，该单元含：前级CMOS反相器和末级CMOS反相器，所述的前级CMOS反相器的输入端、输出端分别连接数字输入信号和末级CMOS反相器的输入端；
前馈和正反馈单元，该单元含：第一、第二级CMOS反相器以及所述主驱动单元的前级CMOS反相器，所述第一级CMOS反相器的输入端、输出端分别连接数字输入信号和第二级CMOS反相器的输入端，第二级CMOS反相器的输出端连接所述前级CMOS反相器的负载管的栅极，第二级CMOS反相器的负载管的栅极连接所述前级CMOS反相器的输出端。
2、根据权利要求1所述的高速数字信号驱动电路，其特征在于：所述的主驱动单元的末级CMOS反相器的MOS晶体管沟道宽长比值W/L为所述第一级CMOS反相器的MOS晶体管沟道宽长比值的50～150倍。
3、根据权利要求2所述的高速数字信号驱动电路，其特征在于：所述的主驱动单元的末级CMOS反相器的MOS晶体管沟道宽长比值W/L为所述第一级CMOS反相器的MOS晶体管沟道宽长比值的100倍。
4、根据权利要求3所述的高速数字信号驱动电路，其特征在于：在0.35um工艺时，所述主驱动单元的末级CMOS反相器的MOS晶体管沟道宽长比值W/L为70/0.35。
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