[发明专利]改善光刻胶耐刻蚀性的方法

权利要求书

1.产生光刻结构的方法，包括：

a)提供含基本树脂和对光化辐射作出响应的光活性组分的光刻胶，所述基本树脂含有被保护的活性部位，在脱去保护后能提供反应活性部位；

b)将所说的光刻胶涂布到底材上；

c)将所说的光刻胶成图样面，对所说光化射线的有效剂量选择性曝光；

d)将所说的光刻胶暴露于显影剂中，产生带有图样的光刻胶；然后

e)将基本树脂的被保护的活性部位脱去保护，提供化学反应活性的部位；然后

f)将步骤(e)产生的反应活性部位与含有甲硅烷基化剂的刻蚀保护剂反应，将刻蚀保护剂结合入基本树脂的结构中；以及

g)刻蚀底材。

2.权利要求1的方法，其中光化射线是波长短于约2500的UV射线。

3.权利要求1的方法，其中光化射线是波长短于约2000的UV射线。

4.权利要求1的方法，其中基本树脂按重量计含有约0％至20％的芳族成分。

5.权利要求1的方法，其中基本树脂基本上不含芳族基团。

6.权利要求1的方法，其中光刻胶是正性光刻胶。

7.权利要求1的方法，其中光刻胶是负性光刻胶。

8.权利要求1的方法，其中光刻胶合有选自下述聚合物的基本树脂：聚羟基苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸叔丁酯、聚乙烯醇、聚乙烯基酚、聚降冰片烯、聚(对-甲酰基)氧苯乙烯、聚(叔丁氧基羰基氧苯乙烯)、聚乙烯吡咯烷酮、聚甲基异戊二烯基酮、苯-甲醛聚合物、三聚氰胺-甲醛聚合物，以及它们的物理的和化学的结合物。

9.权利要求1的方法，其中化学反应活性部位选自下列基团：羟基、羧基、巯基、氨基、烷基氨基、亚氨基、甲酰基，磺基和膦酰基。

10.权利要求1的方法，其中光刻胶的光活性组分是光致产酸剂，选自下列化合物：二芳基碘鎓盐、三芳基锍盐、取代的芳基重氮盐、卤代甲烷类、三氯三嗪、β-萘酚、硝基苯甲醛和聚氯乙烯。

11.  权利要求1的方法，其中光刻胶脱去保护的步骤包括使光刻胶对电磁辐射进行二次曝光，并加热光刻胶至约100℃到约150℃的温度。

12.权利要求1的方法，其中所说的甲硅烷基化剂包括选自下述的化合物：四氯化硅、四氟化硅、三氯硅烷、二甲基氯硅烷和六甲基二硅氮烷。

13.权利要求1的方法，其中甲硅烷基化剂是气体形式。

14.权利要求1的方法，其中刻蚀底材步骤包括等离子体刻蚀。

15.权利要求11的方法，其中等离子体刻蚀用含氧刻蚀气体完成。

16.权利要求1的方法，进一步包括在刻蚀后除掉光刻胶的步骤。

17.产生光刻结构的方法，包括：

a)提供包括基本树脂的光刻胶，基本树脂含有按重量计约0％至约20％的芳族成分，并含被保护的活性部位，脱去保护后能提供反应活性部位和光活性组分，光活性组分能对波长不大于约2500的电磁辐射作出响应；

b)将所说的光刻胶涂布到底材上；

c)将所说的光刻胶的成图样面对所说的电磁辐射的有效首次剂量选择性曝光；

d)将所说的光刻胶暴露于显影剂中，产生带有图样的光刻胶；然后

e)基本树脂的被保护的活性部位，通过使带有图样的光刻胶经电磁辐射的二次剂量照射并加热带有图样的光刻胶至100℃～约150℃间的温度以脱去保护，提供活性部位；然后

f)将步骤(e)产生的反应的活性部位与含有甲硅烷基化剂的刻蚀保护剂反应，将该刻蚀保护剂结合入基本树脂的结构中；以及

g)刻蚀底材。

18.权利要求17的方法，其中甲硅烷基化剂选自下列化合物：四氯化硅、四氟化硅、三氯硅烷、二甲基氯硅烷和六甲基二硅氮烷。

19.权利要求17的方法，其中光刻胶基本上不含芳族基团。

20.权利要求19的方法，其中电磁辐射线的波长短于约2000。