[发明专利]改进动态随机存取存储器工艺的氮化物衬里隔离轴环

权利要求书

1．一种在半导体本体中制作沟槽单元电容的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成一个沟槽，沟槽包括上下两部分；

用介质层给沟槽加入一个衬里；

在衬里沟槽后，通过在沟槽上部分制造一层氧化层和在氧化层上淀积一氮化层来在沟槽上部分形成一个轴环；

往所述沟槽中填充半导体材料至基本填充沟槽。

2．权利要求1的方法，还包括在形成氧化层轴环前，在沟槽的下部分填入导电材料。

3．权利要求2的方法，其中向沟槽下部分填入导电材料包括用多晶硅填充沟槽下部分。

4．权利要求1的方法，还包括在存在蒸汽时对氮化层进行热处理过程，使所述氮化层的暴露表面转换为第二氧化层。

5．权利要求1的方法，其中所述氧化层淀积在沟槽的暴露的侧壁和主表面上，氮化层淀积在氧化层的暴露部分上。

6．权利要求5的方法，还包括刻蚀掉主表面上的氮化层和氧化层的一部分，以露出一部分主表面。

7．权利要求6的方法，还包括刻蚀掉氮化层的顶部和氧化层的顶部，所示氧化层的顶部位于沟槽的侧壁上，其中氧化层和氮化层随深度逐渐变薄，使得氧化层的顶部比氧化层其余部分薄且氮化层的项部比钝化层的其余部分薄。

8．权利要求1的方法，还包括在形成轴环之前：

在半导体衬底中形成沟槽后，给沟槽下部分加入一层介质层衬里，该介质层作为沟槽电容的节点介质；和

在沟槽下部填充掺杂的半导体材料。

9．权利要求1的方法，其中：

所述氧化层是淀积在沟槽上部分的暴露侧壁上及沟槽中暴露的主表面上；

覆盖在沟槽主表面上的一部分氧化层被刻蚀掉，露出主表面的一部分；

氮化层淀积在沟槽的中暴露的氧化层上和主表面的暴露部分之上；和

淀积在主表面上的一部分氮化层被刻蚀掉，再次露出主表面的一部分。

10．权利要求1的方法，其中：

所述氧化层淀积在沟槽上部的暴露侧壁上和沟槽的暴露主表面上；

所述氮化层淀积在沟槽中暴露的氧化层上；和

淀积在主表面上的氮化层和氧化层部分被刻蚀掉，露出主表面的一部分。

11．权利要求1的方法，其中氮化层是化学气相淀积的Si₃N₄层。

12．权利要求1的方法，其中沟槽电容是动态随机存储单元的一部分。

13．权利要求1的方法，其中沟槽的填充包括在沟槽的上部外延生长半导体材料。

14．一种在半导体本体中制作沟槽单元电容的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成一个沟槽，沟槽包括上下两部分；

在沟槽上下两部分的表面上形成一层介质层；

在沟槽下部填入导电材料；

在沟槽上部形成一个轴环，该轴环包括氧化层和氮化层；

在沟槽上部填入导电材料。

15．权利要求14的方法，其中制作一个轴环的步骤包括：

在沟槽上部的表面上淀积氧化层；

在氧化层上淀积氮化层；和

在蒸汽中热处理氮化层，使得所述氮化层的暴露表面转变为第二氧化层。

16．权利要求14的方法，其中制作一个轴环的步骤包括：

在沟槽上部的表面上淀积氧化层；

在氧化层上淀积氮化层；和

其中在淀积氮化层前去掉一部分氧化层，所述氧化层位于沟槽下部的导电材料上。

17．权利要求14的方法，其中制作一个轴环的步骤包括：

在沟槽上部的表面上淀积氧化层；

在氧化层上淀积氮化层；

其中在淀积氮化层后去掉一部分氧化层，所述氧化层位于沟槽下部的导电材料上。

18．权利要求14的方法，其中填充沟槽上下两部分的步骤都包括用掺杂半导体材料填充沟槽。

19．权利要求14的方法，其中用导电材料填充沟槽上部的步骤包括在沟槽的上部中外延生长半导体材料。