[发明专利]改进的对准标记图案和重叠精度测量图案及其形成方法

权利要求书

1.一种用于测量层叠精度的图案，所述图案包括形成在绝缘层中的孔，

其中，所述孔的底部包括对所述绝缘层的阻蚀层的上表面。

2.根据权利要求1所述的图案，其特征在于，所述阻蚀层包括在所述绝缘层下方的互连层。

3.根据权利要求2所述的图案，其特征在于，所述绝缘层包括形成在较低层级层间绝缘体上面的层间绝缘体，并且所述互连层在层间绝缘体下方和在所述较低层级层间绝缘体上方延伸。

4.根据权利要求3所述的图案，其特征在于，所述图案还包括在所述孔中的光刻胶图案。

5.根据权利要求4所述的图案，其特征在于，所述光刻胶图案形成于至少在所述孔的所述侧壁和所述底部延伸的导电膜上。

6.根据权利要求5所述的图案，其特征在于，所述光刻胶图案包括用于形成储存电极的光刻胶图案，并且所述孔包括电容性接触孔，并且作为所述阻蚀层的所述互连层包括位线。

7.根据权利要求5所述的图案，其特征在于，所述光刻胶图案包括用于形成互连层的光刻胶图案，并且所述孔包括接触孔，并且作为所述阻蚀层的所述互连层包括电容性多晶硅层。

8.根据权利要求5所述的图案，其特征在于，所述光刻胶图案包括用于形成上层互连层的光刻胶图案，并且所述孔包括通孔，并且作为所述阻蚀层的所述互连层包括较低层级互连层。

9.根据权利要求5所述的图案，其特征在于，所述图案被用作为用于对所述重叠精度自动测量的自动重叠精度测量图案。

10.根据权利要求5所述的图案，其特征在于，所述图案包括具有包括所述孔的主刻度和包括所述光刻胶图案的副刻度的游标尺。

11.一种对准标记图案，包括形成在绝缘层中的孔，

其中所述孔的底部包括对所述绝缘层的阻蚀层的上表面。

12.根据权利要求11所述的对准标记图案，其特征在于，所述阻蚀层包括在所述绝缘层下方的互连层。

13.根据权利要求12所述的对准标记图案，其特征在于，所述绝缘层包括形成在较低层级层间绝缘体上方的层间绝缘体，并且所述互连层在所述层间绝缘体下方和在所述较低层级层间绝缘体上方延伸。

14.根据权利要求13所述的对准标记图案，其特征在于，所述导电膜至少在所述孔的所述侧壁和所述底部延伸。

15.根据权利要求14所述的对准标记图案，其特征在于，较高层级层间绝缘体在所述导电膜上方延伸。

16.根据权利要求11所述的对准标记图案，其特征在于，所述孔包括接触孔。

17.根据权利要求11所述的对准标记图案，其特征在于，所述孔包括通孔。

18.一种形成用于测量重叠精度的图案的方法，所述方法包括如下步骤：

有选择地在第一绝缘层上形成阻蚀层；

在所述阻蚀层和第一绝缘层上形成第二绝缘层；以及

通过利用所述阻蚀层有选择地蚀刻所述第二绝缘层，以形成作为在所述第二绝缘层中的所述图案的孔，其中所述孔的底部包括所述阻蚀层的上表面。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述阻蚀层包括互连层。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，还包括形成至少在所述孔的所述侧壁和所述底部上延伸的导电层的步骤。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括形成至少在所述导电层和第二绝缘层上延伸的光刻胶层的步骤。

22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括在所述孔中的所述导电膜上形成光刻胶图案的步骤，其中所述光刻胶图案作为与所述孔结合使用的第二图案。

23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，还包括通过利用所述光刻胶图案对导电膜构图来形成储存电极的步骤，其中所述孔作为电容性接触孔，并且所述互连层作为位线。