[发明专利]磁记录装置和磁记录方法

权利要求书

1.一种磁记录装置，包括：

磁记录介质(10)，其具有在衬底(11)上形成的记录层(13)，所述记录层(13)由磁微粒和在磁微粒间形成的非磁性材料组成；

加热单元，用来加热记录层(13)；以及

磁记录单元(30)，用来把磁场施加到记录层(13)上；

其特征在于，将所述磁记录介质(10)、所述加热单元和所述磁记录单元(30)构成为满足下面的关系：

T/RKu(T)＜11200/(ln(t)+20.72)

其中，Ku(T)是记录层(13)在温度T时的磁各向异性能量密度，并且Ku(Ta)是记录层在环境温度下的磁各向异性能量密度，RKu(T)表示比值Ku(T)/Ku(Ta)，而t表示在完成磁场施加后所经过的时间。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，记录层(13)的矫顽力在环境温度下是4kOe或更大。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述记录层(13)由Co基合金形成。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述记录层(13)由稀土过渡金属合金形成。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热单元是激光器。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述磁记录单元(30)是磁记录头。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热单元和所述磁记录单元(30)是整体提供的。

8.一种用于磁记录介质(10)的磁记录方法，其中磁记录介质(10)包括在衬底(11)上形成的记录层(13)，并且记录层(13)由磁微粒和在磁微粒间形成的非磁性材料组成，所述方法包括下列步骤：

加热所述记录层(13)；以及

把磁场施加到所述记录层(13)，由此来执行记录；

其特征在于，这些步骤满足下面的关系：

T/RKu(T)＜11200/(ln(t)+20.72)

其中，Ku(T)是记录层(13)在温度T时的磁各向异性能量密度，而Ku(Ta)是记录层在环境温度下的磁各向异性能量密度，RKu(T)表示比值Ku(T)/Ku(Ta)，而t表示在完成磁场施加后所经过的时间。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，记录层(13)的矫顽力在环境温度下是4kOe或更大。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

执行所述加热步骤，使得记录层(13)在最高温度Tmax下的RKu(Tmax)变成0.01或更小；且

执行所述记录步骤，使得记录操作在记录层(13)达到最高温度后的1ns到50ns之内完成。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

执行所述加热步骤，使得记录层(13)的RKu(T)在记录层(13)达到最高温度之前变为0，且

执行所述记录步骤，使得记录操作在记录层(13)达到最高温度后的20ns到100ns之内完成。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述加热单元是激光器。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，从所述激光器发射到记录层(13)上的激光束的功率和所述记录介质(10)的旋转速度是可调的。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，使用脉冲激光束照射所述记录层(13)，该脉冲激光束具有可调节的脉冲宽度。